Cтраница 3
Таким образом, уменьшение Pf при малых значениях / с объясняется наличием тока генерации в змиттерном переходе, а при больших - высоким уровнем инжекции и эффектом Кирка. [31]
Улл) - с увеличением концентрации примеси в базе диода относительная роль тока генерации также увеличивается. [32]
![]() |
Распределение концентрации электронов и дырок в диоде. [33] |
По своей природе ток / s в р - п переходе представляет собой ток тепловой генерации дырок в квазинейтральной и-базе. [34]
![]() |
Действие внешнего напряжения на р-п. [35] |
Таким образом, при данной полярности внешнего источника напряжения через р-л-переход проходит только ток генерации неосновных носителей заряда, величина которого определяется их концентрацией. Концентрация неосновных носителей заряда зависит от температу ры и не зависит от напряжения в сравнительно широких пределах изменения последнего. Рассмотренное включение p - n - перехода называют обратным направлением. [36]
Возвращение к ней осуществляется соответствующим изменением содержания галоида в рабочем растворе путем изменения тока генерации. Этот метод был предложен М. М. Файнбергом и назван им электрохимической компенсацией. [37]
В этом случае при прямом напряжении преобладает ток рекомбинации, а при обратном - ток генерации. [38]
И До значения остаточного тока ( или до очень небольшой величины) снова пропускают ток генерации / э и, одновременно пустив секундомер, продолжают электрогенерацию Вг2, повторяя указанный прием до тех пор, пока 1И не приобретет заметной величины и не будет оставаться постоянным в течение нескольких минут при отключении генерационной цепи. Следят за током is в цепи индикации и прекращают электролиз как только ток t H уменьшится до значения остаточного тока или до некоторого очень малого значения. Останавливают секундомер и размыкают цепи генерации и индикации. Фиксируют продолжительность титрования - т избытка Вг2 генерированными Си - ионами. Разность между общим временем генерации Вг2и временем титрования его избытка ( т - т), умноженная на величину тока генерации ia, соответствует количеству электричества Q, израсходованного для генерации Bra, который необходим для окисления анилина до триброманилина. [39]
В состоянии динамического равновесия ( U 0) встречные потоки носителей компенсируются, так что ток генерации равен току рекомбинации. [40]
Лишь при очень больших отрицательных напряжениях, при - eU kT, когда п - и, ток генерации может сравниться с омическим током. [41]
Для определения GeIV в модельных растворах установлены оптимальные условия, обеспечивающие 10 % - ный выход по току генерации Ь из раствора 0 1 М по K. Для определения германия ( IV) в виде желтой формы герма-номолибденовой кислоты предложено использовать электроге-нерированный Mov. Титрант генерируют из раствора 0 02 - Ь - 4 - 0 05 М по Ма2МоО4 и 0 02 ч - 2 М по H2SO4 при плотности тока 15 мА / см2; к. [42]
Следовательно, обратный ток реального р-я-перехода больше, чем идеального, поскольку кроме теплового тока / о течет ток генерации. Из (2.14) и (2.18) следует, что / r / / o - пТ1 - - ехр [ & E3 / ( 2kT) ], т.е. доля тока генерации в полном обратном токе тем выше, чем больше ширина запрещенной зоны и ниже температура. [43]
![]() |
Протекание тока в обратносмещенном р-п-пере-ходе ( Рр п. [44] |
В полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, например кремнии и арсениде галлия, щ мало и преобладает ток генерации. [45]