Базовый ток - транзистор
Cтраница 2
С разрядом конденсатора постепенно уменьшаются базовые токи транзисторов и в момент fa когда коэффициент усиления петли обратной связи превышает единицу, начинается лавино-об р азныи пр оцесс отроки - дывания мультивибратора во второе квазиустойчивое состояние. [16]
Вычислим ток делителя с учетом базового тока транзистора. [17]
Этот ток, уменьшенный на значение базового тока транзистора VT3, создает на его коллекторной нагрузке падение напряжения, равное - 0 9 В. Транзисторы выходных ЭП работают все время в активном режиме, и падение напряжения на их эмиттерных переходах составляет - 0 8 В. Если же хотя бы на один вход элемента подается напряжение, равное - 0 9 В, то открывается инверсное и закрывается прямое плечо токового переключателя ТП и ситуация меняется на противоположную. [18]
Этот ток, уменьшенный на значение базового тока транзистора 7з, создает на его коллекторной нагрузке падение напряжения, равное - 0 9 В. В инверсном плече ТП тока нет, и на коллекторе транзисторов Т и Т2 устанавливается напряжение, равное - - 0 1 В, за счет падения напряжения на резисторе RI от базового тока транзистора 7V Транзисторы выходных ЭП работают все время в активном режиме, и падение напряжения на их эмиттерных переходах составляет - 0 8 В. Если же хотя бы на один вход элемента подается напряжение, равное - 0 9 В, то открывается инверсное и закрывается прямое плечо токового переключателя ТП и ситуация меняется на противоположную. [19]
KI, например когда It является базовым током транзистора. [20]
 |
Триггер с дополнительной симметрией.| Триггер на электронных лампах. [21] |
Если транзистор Т1 насыщен, то для базового тока транзистора Т2 имеется путь через R и Т1 и он тоже насыщен. [22]
Резистор R12 включен в схему для ограничения базового тока транзистора VT3; конденсаторы С5 и С6 ускоряют процесс включения - выключения этого транзистора. [23]
При работе в области насыщения с повышением базового тока транзистора увеличивается только прямой эмиттерный ток, а коллекторный ток остается неизменным и равным / кп, в отличие от работы транзистора в активной области, когда с повышением базового тока возрастают и коллекторный и эмиттерный ток. [24]
 |
Входные характеристики БТ.| Схема базового элемента РТЛ-типа. [25] |
Введение резисторов в цепи баз позволяет уменьшить разброс базовых токов транзисторов, соединенных с одним выходом, поскольку эти токи определяются не только входными характеристиками транзисторов, но и сопротивлениями резисторов. На рис. 1.12 приведены входные характеристики транзисторов при введении в цепи баз резисторов и без них. Как видно из рис. 1.12, крутая входная характеристика является наиболее критичным параметром, так как даже незначительное изменение напряжения [ / бэ может привести к большому изменению базового тока. [26]
Если изменить полярность напряжения коллектор-эмиттер, не меняя базового тока транзистора, получим семейство характеристик в третьем квадранте. При таком обратном включении транзистор обладает существенно меньшим коэффициентом усиления тока базы, составляющим примерно 1 / ЗОр. Это объясняется тем, что при таком режиме работы транзистора переход база-коллектор открыт, а переход база-эмиттер закрыт. [28]
 |
Схема типа РЕТЛ. [29] |
В результате при одном и том же входном напряжении базовые токи транзисторов могут существенно отличаться друг от друга. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5