Cтраница 3
При увеличении теплового тока / ко с повышением температуры увеличиваются ток покоя коллектора / ок и падение напряжения от этого тока на сопротивлении RK. Это приводит к снижению напряжения на коллекторе UOK3 и, следовательно, к уменьшению тока базы / ов. [31]
При наличии тепловых токов, когда с нагретым воздухом в верхнюю зону поднимаются вредные пары и газы, подача воздуха целесообразна в среднюю и нижнюю зоны для предот-враи: сния нежелательной циркуляции загрязненного воздуха в помещении. [32]
![]() |
Распределение концентрации примесей в интегральном п-р - п транзисторе.| Топологический чертеж и обозначение р-п - р двухколлек-торного транзистора ( один из коллекторов соединен с базой. [33] |
Произведения плотностей тепловых токов уэ0, ук0 на соответствующие площади переходов Аэ, Ах определяют тепловые токи транзисторов / эо, / ко. Тепловые токи связаны между собой равенством [4] a. [34]
Генерационная составляющая теплового тока образуется потоком носителей, которые генерируются в переходном слое. [35]
С увеличением теплового тока / ко время выдержки уменьшается. Это влияние будет тем слабее, чем меньше ток / ко ( кремниевые транзисторы) и чем более низкоомные резисторы используются в схеме. Однако, как и в мультивибраторе, тепловые токи не являются единственным источником нестабильности, и поэтому температурная стабилизация нередко является сложной проблемой. [36]
![]() |
Полевой пробои р-п-пе-рехода. [37] |
Для создания обычного теплового тока валентные электроны р-области сначала должны преодолеть энергетический барьер и попасть в зону проводимости данной области, и лишь затем некоторые из них как неосновные носители могут перейти через р - / г-переход. То же самое справедливо и для дырок п-области. [38]
![]() |
Вольтамперная харак теристика р-п перехода в прямом направлении в полулогарифмическом масштабе. а - расчетная. б - эксперимен тальная. [39] |
Рассмотрим зависимость обратного теплового тока через р-п переход от температуры. [40]
Ток термогенерации превышает тепловой ток и возрастает с увеличением обратного напряжения. Эти зависимости приведены на рис. 4 и называются обратной ветвью ВАХ диода. [41]
Влияние температуры на тепловой ток и коэффициент передачи приводит к температурному смещению статических характеристик транзистора. [42]
Ясно, что тепловой ток в составном транзисторе больше, чем в каждом из компонентов. [43]
Например, если тепловые токи различаются на 20 %, то напряжение разбаланса составит Up - 5 мВ - значение, типичное для многих ДК. [44]
У германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль при отрицательных температурах. [45]