Cтраница 4
![]() |
Выходные характеристики транзистора и временная диаграмма напряжения коллектора. [46] |
Для германиевых транзисторов тепловой ток / т преобладает над током термогенерации во всем диапазоне положительных температур. Ток термогенерации начинает играть роль лишь при отрицательных температурах. [47]
Ток термогенерации и тепловой ток играют основную роль при низких обратных напряжениях. При повышенных обратных напряжениях преобладающее значение имеет ток утечки. [48]
![]() |
Влияние модуляции толщины базы на входные величины.| Эквивалентная схема идеализи рованного транзистора. [49] |
В-четвертых, поскольку тепловой ток э м и т - т е р н о г о перехода / эо при тонкой базе-обратно пропорционален ее толщине [ см. ( 2 - 366) 1, напряжение UK, модулируя толщину базы, модулирует также ток / эо, а вместе с ним согласно ( 2 - 33) всю вольт-амперную характеристику эмиттерного перехода. Такое влияние разумно назвать внутренней обратной связью по напряжению. [50]
Ясно, что тепловой ток в составном транзисторе больше, чем в аждом из компонентов. Этот серьезный недостаток затрудняет исполь-ование германиевых составных транзисторов при повышенных емпературах. [51]
![]() |
Эквивалентная схема идеализм-рованного транзистора. [52] |
В-четвертых, поскольку тепловой ток эмиттерного перехода / Э0 при тонкой базе обратно пропорционален ее толщине [ см. ( 2 - 366) 1, напряжение f / K, модулируя толщину базы, модулирует также ток / Э0, а вместе с ним согласно ( 2 - 33) всю вольт-амперную характеристику эмиттерного перехода. Следовательно, если одна из входных величин ( / э или U3) задана, то вторая оказывается функцией коллекторного напряжения ( рис. 4 - 8) Ч Такое влияние разумно назвать внутренней обратной связью по напряжению. [53]
Если элементарная трубка теплового тока имеет форму плоского клина, то для нее также будет справедливо свойство стабильности. Основным телом второго класса является бесконечно длинный круглый цилиндр. [54]
![]() |
К условиям преломления на границе с идеальным термическим контактом, А. / А2 0 ( 1. [55] |
Изотермы и линии теплового тока образуют ортогональную сетку. [56]
![]() |
Схема термотранзисторно. [57] |
В процессе нарастания теплового тока коллекторного перехода за счет отрицательной обратной связи по току управляющий ток базы и, следовательно, ток диада уменьшаются, что приводит к увеличению сопротивления диода, а затем к полному запиранию его при / б О. [58]
![]() |
Вольт-амперные характеристики кремниевого и германиевого диодов ( а и зависимость вольт-амперной характеристики диода от площади перехода ( б. [59] |
С увеличением s растет тепловой ток, а следовательно, и прямая ветвь характеристики идет круче. [60]