Cтраница 1
![]() |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. [1] |
Тепловой ток коллектора, пропорциональный площади перехода доходит у мощных транзисторов до десятков миллиампер. С прибли жением напряжения к максимально допустимой величине теплово. [2]
![]() |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [3] |
Тепловой ток коллектора, пропорциональный площади перехода, доходит у мощных транзисторов до десятков миллиампер. С приближением напряжения к максимально допустимому значению тепловой ток увеличивается в несколько раз в связи с возрастающей ролью термогенерации и ударной ионизации в переходе, а также саморазогрева. [4]
Величина теплового тока коллектора определяется равновесными значениями концентраций неосновных носителей базы: и коллектора. [5]
![]() |
Выходные характеристики транзистора МП41 для схемы с ОЭ. [6] |
Этот ток значительно больше действительного теплового тока коллектора / кбо. [7]
Ток / SK является тепловым током коллектора, поскольку при обратном смешении на переходе ток / SK обусловливается тепловым забросом электронов из области коллектора в базу и дырок из области базы в эмиттер. В настоящее время для тока ISK не существует установившейся терминологии. [8]
Если в первом приближении пренебречь тепловым током коллектора / Кбо, то можно считать, что ток эмиттера содержит дырочную ( дрейфовую или диффузионную) составляющую 1э р), пропорциональную числу дырок, инжектированных из эмиттера в базу в единицу времени, и электронную составляющую / ( Я), пропорциональную числу электронов, инжектированных в единицу времени из базы в эмиттер. [9]
Кроме / i-параметров, в справочниках приводятся значения теплового тока коллектора, измеряемого при комнатной температуре, предельные значения нагрузочного тока, коллекторного напряжения и мощности, которую триод может рассеять без перегрева. [10]
![]() |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [11] |
Для германиевых транзисторов важное значение имеет температурная зависимость теплового тока коллектора / ко. Будучи очень небольшим при комнатной температуре ( 0 1 - 0 5 % режимного тока / э), он сильно возрастает при нагреве транзистора, а это, как видно из рис. 4 - 11, а, смещает все кривые коллекторного семейства характеристик. В результате получается косвенная температурная зависимость параметров. Функцию / ко ( Т) нет необходимости рассматривать подробно, так как она проанализирована в § 2 - 6 применительно к теплово. [12]
![]() |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [13] |
Исключительное значение для стабильности транзисторных схем имеет температурная зависимость теплового тока коллектора / ко. Будучи очень небольшим при комнатной температуре ( у германиевых транзисторов в среднем 0 1 - 0 5 % режимного тока / э), он сильно возрастает при нагреве транзистора, а это, как видно из рис. 4 - 11, а, смещает все кривые коллекторного семейства характеристик. В результате получается косвенная температурная зависимость параметров. Функцию / ко ( Т) нет необходимости рассматривать подробно, так как она проанализирована в § 2 - 6 применительно к тепловому току диода. [14]
По этой причине, как видно из формулы (4.114), тепловой ток коллектора растет также по экспоненциальному закону. [15]