Тепловой ток - коллектор
Cтраница 2
 |
Транзистор в схеме с щей базой. [16] |
Этот ток существенно возрастает с увеличением температуры, поэтому его называют тепловым током коллектора. [17]
Як, если выполняется условие Ек1Ек Кк1н0ашх, где / к0та - тепловой ток коллектора при наибольшей температуре. [18]
Если в кремниевом транзисторе под током / ко понималась сумма всех обратных токов, протекающих через переход, и он был невелик, то в германиевом транзисторе только один неуправляемый тепловой ток коллектора оказывается на много порядков больше, чем весь / ко в кремниевом транзисторе. [19]
Ток / ко называют обратным током коллектора, так как по направлению он противоположен току коллектора, который имел бы место при смещении перехода в прямом направлении. Иногда / К0 называют тепловым током коллектора, так как образующие его неосновные носители появляются под воздействием тепловой энергии. [20]
Если к эмиттерному переходу прикладывается напряжение с положительной полярностью на базе, то транзистор запирается. При этом в цепи базы протекает тепловой ток коллектора / g - / ко. Режим транзистора при / g - / К0 называют р е-жимом отсечки. [21]
 |
Фазочувствительный усилитель по схеме ОБ. [22] |
Среднее напряжение на нагрузке при подаче входного сигнала определяется средним током коллектора открытого транзистора. При отсутствии входного сигнала напряжение на нагрузке создается от протекания теплового тока коллектора / ко, который у разных типов транзисторов может быть различным. В связи с этим фазочувствительный усилитель должен быть спроектирован так, чтобы разность токов в обеих половинах нагрузки при отсутствии входного сигнала не превышала определенной величины. [23]
Для выполнения этого требования при расчете необходимо учитывать изменение положения рабочей точки с температурой. Наиболее сильно на изменение рабочего тока транзистора влияют возрастание с температурной теплового тока коллектора / ко и входной характеристики эмиттерного перехода. [24]
Рассмотрим влияние температуры на работу транзисторного усилительного каскада. В рабочем режиме напряжение базы отрицательно относительно эм ттера равно ( 0 l - f - 0, 2) в для маломощных транзисторов. Приближенно будем считать на-гаряжение между базой и эмиттером равным нулю ( в рабочем режиме), При повышении температуры увеличивается тепловой ток коллектора и эмиттера, возрастает падение напряжения на эмиттерном сопротивлении Кэ, которое положительно относительно базы и стремится запереть транзистор. В результате ток коллектора стремится уменьшиться. При наличии сопротивления R э и повышении температуры ток коллектора увеличивается, но значительно меньше, чем он увеличился бы без сопротивления Кэ. Чем больше Кэ, тем более постоянен ток коллектора при одинаковых изменениях температуры. [25]
 |
Транзисторная схема с общим эмиттером. а - схема, б - входные базовые характеристики, в - выходные коллекторные характеристики при разных токах базы. [26] |
Выходные коллекторные характеристики плоскостного транзистора в схеме с общей базой ОБ напоминают характеристики идеального пентода. В связи с тем, что обратный ток диода мало зависит от обратного напряжения, коллекторный ток мало зависит от величины включенного последовательно в цепь коллектора сопротивления нагрузки и от внешнего напряжения питания коллектора. Нелинейные ис кажения, вносимые этими характеристиками, чрезвычайно малы. При токе эмиттера, равном нулю, тепловой ток коллектора / ко очень мал ( 2 - 10 мка), но он возрастает вдвое при увеличении температуры а 10 С. [27]
 |
Схема для снятия статических. [28] |
Этот же ток втекает в базу. При значениях U63, близких к нулю, эмиттерный переход приоткрывается, и начинается инжекция носителей из эмиттера в базу и из базы в эмиттер. Когда ток базы, являющийся электронной составляющей тока эмиттера, будет равен по величине встречно направленному току / кбо, результирующий ток в цепи базы будет равен нулю. В коллекторной цепи в этом случае проходит ток / бо, называемый условно тепловым током коллектора для схемы с ОЭ. [29]
Страницы: 1 2