Неуправляемый ток - коллектор
Cтраница 1
Неуправляемый ток коллектора / при повышении температуры на каждые 10 С увеличивается примерно вдвое. [1]
Изменение температуры приводит к изменению неуправляемого тока коллектора, а следовательно, выбранного режима работы транзисторов. В результате возникает дрейф выходного напряжения. [2]
 |
Схема мультивибратора с корректирующими диодами.| Схема быстродействующего мультивибратора. [3] |
Стабильность частоты определяется главным образом неуправляемым током коллектора / ко, который часто является основной составляющей разрядного тока времязадающего конденсатора. [4]
При повышении температуры на каждые 10 град неуправляемый ток коллектора, как и неуправляемый ток базы / бн, увеличивается примерно вдвое. [5]
В режиме отсечки через запертый транзистор протекает неуправляемый ток коллектора / ко - который зависит от типа транзистора и температуры. [6]
Это значит, что в выводе базы неуправляемый ток коллектора уравновешивает разность токов ie 1 и А / к - а, возникающую вследствие рекомбинации неравновесных носителей. [7]
Выходной ток / КБ0 в этом случае является неуправляемым током коллектора. При 1эф0 выходной ток близок к входному. КБ, то он резко уменьшается и достигает нуля при значениях UKB порядка десятых долей вольта. В последнем случае коллекторный переход работает в прямом направлении. Ток через этот переход резко возрастает и идет в направлении, обратном нормальному рабочему току, что может вывести транзистор из строя. Поэтому на данном участке характеристики показаны штриховыми линиями, они не являются рабочими и обычно на графиках не приводятся. [8]
 |
Схема стенда для проверки маломощных транзисторов. [9] |
У маломощных транзисторов обычно проверяют обратный или так называемый неуправляемый ток коллектора / БО ПРИ отключенном эмиттерном выводе, а также / Ыэ в схеме с заземленным эмиттером. На рис. 74 приведена схема стенда для проверки маломощных транзисторов как с p - n - р, так и с n - p - п переходами. У микроамперметра ИП-1 должна быть шкала с нулем посередине. [10]
Как уже неоднократно указывалось, полупроводниковым триодам присуще наличие неуправляемого тока коллектора / К0, заметно возрастающего при большом эквивалентном сопротивлении базы. Поэтому в интегрирующем контуре должен протекать значительный ток, доходящий до нескольких десятков микроампер даже для кремниевых триодов; влияние изменения тока / К0 при температуре должно устраняться компенсирующими устройствами. [11]
При отсутствии излучения в коллекторной цепи фототранзистора течет темновой ток, аналогичный неуправляемому току коллектора биполярного транзистора, причем темновой ток фототранзистора так же сильно зависит от температуры, как и неуправляемый ток коллектора. [12]
Изменение температуры коллектора в процессе работы вызывает изменение заданного режима транзистора, так как при изменении температуры изменяется неуправляемый ток коллектора. Необходимо следить за тем, чтобы ток коллектора изменялся в зависимости от изменения неуправляемого тока / ко на минимальную величину. [13]
В случае, если / э 0, то / к / ко и получается характеристика начального или неуправляемого тока коллектора, который, как известно, сильно зависит от температуры. [14]
 |
Иллюстрация работы усилителя на транзисторе С O3s о - нагрузочная коллекторная характеристика. б входная характеристика. [15] |
Страницы: 1 2 3