Неуправляемый ток - коллектор
Cтраница 2
Мелкий масштаб характеристик не позволяет выделить на данном рисунке область отсечки, которая, как и в схеме включения транзистора с ОБ, определяется неуправляемым током коллектора. Область / / / насыщения транзистора, в которой увеличение тока базы не вызывает заметных изменений тока коллектора, заштрихована. [16]
По сравнению с лампами транзисторы обладают значительной температурной нестабильностью, связанной с зависимостью от температуры всех процессов, происходящих в транзисторах, и в особенности с зависимостью от температуры неуправляемого тока коллектора / ко. [17]
При отсутствии излучения в коллекторной цепи фототранзистора течет темновой ток, аналогичный неуправляемому току коллектора биполярного транзистора, причем темновой ток фототранзистора так же сильно зависит от температуры, как и неуправляемый ток коллектора. [18]
На рис. 4.20 штриховыми линиями показаны распределения концентраций дырок в установившемся режиме для трех различных значений тока эмиттера: / эь / Э2, Дз - Пренебрегая электронной и рекомбинационнои составляющими тока эмиттера и неуправляемым током коллектора, можно утверждать, что в установившемся режиме / э / к, что является следствием линейного распределения концентрации дырок в базе, при котором градиенты концентрации возле эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы. [19]
Неуправляемый ток коллектора / при повышении температуры на каждые 10 град увеличивается примерно вдвое. [20]
Однако с увеличением этого сопротивления возможны случаи, когда стабилизатор не включается. Здесь существенную роль играет неуправляемый ток коллектора транзисторов. Кроме того, коэффициент стабилизации увеличивается с увеличением тока, протекающего через стабилитроны. [21]
 |
Входные характеристики. [22] |
При полной отсечкеэмит-терного тока, равносильной обрыву цепи эмиттера, ток коллектора не равен нулю. Этот ток, называемый неуправляемым током коллектора, является по существу обратным током коллекторного диода. Так как продолжением цепи коллекторного диода при обрыве эмиттерной цепи является цепь базы, то ток базы / бо - / К0 и протекает в обратном направлении по сравнению с током базы открытого триода. [23]
Следует заметить, что применение транзисторов в УПТ значительно затруднено сильной зависимостью параметров транзисторов от температуры р - п-перехода. Температурный дрейф связан с изменениями теплового неуправляемого тока коллектора / ко, коллекторного сопротивления гк и коэффициента передачи тока а. В таком усилителе сочетается низкий дрейф нуля УПТ с преобразованием сигнала ( усилитель типа М - ДМ с коэффициентом усиления А с широкой полосой пропускания УПТ с коэффициентом усиления Л2 - С помощью суммирующей цепи Rlt 2 осуществляется сложение низкочастотной и высокочастотной составляющих усиливаемого сигнала. [24]
Схему транзисторного каскада целесообразно строить так, чтобы обеспечить постоянную независимую от температуры величину тока эмиттера. Для этого с увеличением температуры, когда неуправляемый ток коллектора увеличивается, ток базы должен уменьшаться. [25]
Основными причинами, вызывающими нестабильность длительности импульса мультивибратора, являются изменение параметров времязадающей цепи RuzCz, появление дополнительных путей разряда конденсатора С. Обычно самой важной причиной нестабильности является наличие неуправляемого тока коллектора транзистора Тг, стремящегося разрядить конденсатор Cz во время импульса. [26]
При / э О характеристика начинается в начале координат и имеет вид обратной ветви - - перехода. Выходной ток / КБО в этом случае является неуправляемым током коллектора. При / э О выходной ток близок к входному. Однако если меняется полярность напряжения ( УКБ, то он резко уменьшается и достигает нуля при значениях С / КБ порядка десятых долей вольта. В последнем случае коллекторный переход работает в прямом направлении. Ток через этот переход резко возрастает и идет в направлении, обратном нормальному рабочему току, что может вывести транзистор из строя. Поэтому на данном участке характеристики показаны штриховыми линиями, они не являются рабочими и обычно на графиках не приводятся. [27]
 |
Распределение концентрации дырок в базе при медленных и быстрых изменениях тока эмиттера. [28] |
На рис. 4.19, б штриховыми линиями показаны распределения концентраций дырок в установившемся режиме для трех различных значений тока эмиттера: / 81, / эг, Увз. Пренебрегая электронной и рекомбинационной составляющими тока эмиттера и неуправляемым током коллектора, можно утверждать, что в установившемся режиме / э / к, что является следствием линейного распределения концентрации дырок в базе, при котором градиенты концентрации возле эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы. [29]
Ток / - А1Э представляет собой управляемую часть коллекторного тока. Обратный ток коллектора / КБО не зависит от тока эмиттера, поэтому его иногда называют неуправляемым током коллектора. [30]
Страницы: 1 2 3