Полный ток - эмиттер
Cтраница 1
Полный ток эмиттера, помимо дырочного тока, создаваемого дырками, втекающими в базу, включает также электронный ток, создаваемый электронами, уходящими из базы. [1]
Для определения полного тока эмиттера необходимо в соответствии с изложенным в § 4.2 добавить к / эр составляющие тока, связанные с инжекцией носителей из базы в эмиттер и рекомбинацией в p - n - переходе эмиттера. [2]
Для определения полного тока эмиттера необходимо, в соответствии с изложенным в § 2.2, добавить к / э / составляющие тока, связанные с инжекцией носителей из базы в эмиттер и рекомбинацией в области объемного заряда эмиттерного перехода. [3]
Для определения полного тока эмиттера необходимо в соответствии с изложенным в § 4.2 добавить к 1Эр составляющие тока, связанные с иг. [4]
 |
Эквивалентные схемы идеализированного транзистора. а р-п - р. б п-р - п. [5] |
За положительное направление полных токов эмиттера и коллектора транзистора принято направление этих токов, совпадающее с положительным направлением соответствующих собственных токов. [6]
Здесь / е есть полный ток эмиттера ( плотность тока, умноженная на площадь); / с - - полный ток коллектора / - ток насыщения эмиттера при нулевом напряжении между коллектором и базой; 1Са - ток насыщения коллектора, измеряемый при нулевом напряжении между эмиттером и базой; а - нормальный, или прямой, коэффициент усиления по току и ац - обратный коэффициент усиления по току. Множители перед квадратными скобками в уравнениях (1.85) легко вычислить, решая уравнения непрерывности с соответствующими граничными условиями, выразив их таким образом через обычные параметры полупроводника и геометрические размеры транзистора. Но обычно на практике в этом нет необходимости, так как их можно измерить. Уравнения (1.85) имеют то достоинство, что они интуитивно очевидны и удобны для описания и анализа работы транзистора и, как показал Молл, распространяются на р - п - р - - приборы ( гл. [7]
На основании записанных выражений для полных токов эмиттера и коллектора могут быть составлены эквивалентные схемы плоскостных транзисторов, учитывающих их инерционные свойства, обусловленные как диффузионными, так и зарядными процессами. [8]
Отношение полного тока коллектора к полному току эмиттера называется коэффициентом передачи тока. Полный ток через эмиттерный и коллекторный переходы состоит из тока электронов и тока дырок. Принято разлагать коэффициент передачи тока на три составляющие, каждая из которых характеризует важный механизм работы транзистора. [9]
Для нахождения коэффициента инжекции необходимо знать полный ток эмиттера. [10]
Таким образом, чтобы получить значения плотности полного тока эмиттера и коллектора, необходимо решить задачу о плотностях электронных токов. [11]
Коэффициент а является интегральным, так как связывает полные токи эмиттера и коллектора. [12]
 |
Вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода.| Прямая ветвь характеристики идеализированного диода. [13] |
Источники тока на схемах рис. 1 - 6 указывают на независимость составляющей а / кд полного тока эмиттера / э от напряжения на эмиттерном переходе и составляющей ад / эд полного тока коллектора / К от напряжения на коллекторном переходе. [14]
Коэффициент инжекции уэ показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера. Коэффициент переноса ХБ показывает, какая часть электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода; значение ХБ тем ближе к единице, чем меньше электронов ре-комбинирует в базе при их движении к коллектору. [15]
Страницы: 1 2