Полный ток - эмиттер
Cтраница 2
В режиме насыщения под коэффициентом инжекции ys следует понимать не дифференциальный параметр, а отношение полного дырочного тока эмиттера / к полному току эмиттера 1э, заданному на входе. В этом случае коэффициент инжекции, как следует из ( 1 - 70) и ( 1 - 74), будет зависеть от напряжения на коллекторе VK и при VK0 может стать заметно меньше единицы. [16]
Изложенное выше позволяет заключить, что вольт-амперную характеристику эмиттерного р - n - перехода в транзисторе можно выразить через рекомбинационныи ток либо через полный ток эмиттера. [17]
 |
Типичная схема внутренней частотной коррекции ОУ. [18] |
В операционных усилителях возникает ограничение скорости нарастания, когда выходной сигнал возбуждает один из транзисторов дифференциального каскада почти до насыщения, действуя на следующий каскад полным током эмиттера в дифференциальной паре. В этот момент напряжение коллектора Т5 изменяется с максимально возможной скоростью, а весь ток / э идет на заряд конденсатора С. Таким образом, Ts и С образуют интегратор с ограниченной скоростью нарастания на выходе. [19]
В операционных усилителях возникает ограничение скорости нарастания, когда входной сигнал возбуждает один из транзисторов дифференциального каскада почти до насыщения, действуя на следующий каскад полным током эмиттера в дифференциальной паре. В этот момент напряжение коллектора Тъ изменяется с максимально возможной скоростью, а весь ток / э идет ща заряд конденсатора С. Тъ и С образуют, таким образом, интегратор с ограниченной скоростью нарастания на выходе. [20]
Коэффициент инжекции ( эффективность эмиттера) характеризуется способностью эмиттера инжектировать в область базы неосновные носители. Для транзистора п-р - n - типа этот коэффициент определяется отношением электронной составляющей к полному току эмиттера. [21]
Работа транзистора без тока базы неосуществима. Но вместе с тем желательно ток в цепи базы иметь возможно меньшим, тем самым приближая величину тока коллектора к полному току эмиттера. [22]
Составляющие змиттерного и коллекторного токов I3l ( t) и / Kl ( /) могут быть названы зарядными составляющими соответствующих токов, так как они обусловлены только зарядными процессами в обедненном слое p - n - переходсв. Составляющие / Э2 ( t) и / К2 ( /) являются безынерционными диффузионными составляющими, а / Э3 ( t) и / К3 ( /) - инерционными диффузионными составляющими полных токов эмиттера и коллектора. [23]
Страницы: 1 2