Избыточный ток

Cтраница 2

Недостаточный или избыточный ток, малая мощность газовой горелки. [16]

Недостаточный или избыточный ток, малая мощность горелки. [17]

Дополнительными источниками избыточного тока становятся дефекты p - n - перехода в объеме или на поверхности полупроводника, нарушенные слои, царапины, трещины. [18]

Исследование зависимости избыточного тока от давления [33], температуры [34, 35], концентраций доноров и акцепторов [36, 37, 38] подтверждает его туннельную природу. В настоящее время можно считать доказанным, что избыточный ток представляет собой туннельный ток через состояния в запрещенной зоне. [19]

Защита от избыточного тока схемы по выходной цепи и избыточного напряжения по входной цепи ( приведена на рис. 1.1 Оа) обеспечивается с помощью плавких предохранителей. При превышении избыточного тока срабатывает плавкий предохранитель и разрывает выходную цепь. Для защиты от избыточного напряжения по входу используется тиратрон. Тиратрон является нелинейным резистором. Он обладает очень высоким сопротивлением при номинальном напряжении. Когда во входной цепи возникает скачок напряжения, тиратрон включается и переходит в состояние с низким сопротивлением, срабатывает плавкий предохранитель по входу. Превышение допустимого напряжения на трансформаторе, тиристоре и нагрузке не происходит. [20]

Таким образом, избыточные токи и ползучесть на кремниевых приборах могут объясняться, прежде всего, возникновением и изменениями канальных утечек. [21]

В области протекания избыточного тока энергетические полосы не пересекаются. Если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические состояния, то туннельный переход с сохранением энергии исключается. Поэтому для объяснения избыточного тока должен быть введен механизм энергетических потерь для совершающего переход электрона. Одним из путей, которым электрон может потерять энергию, является передача ее фонону. Однако энергии, соответствующие напряжению, при котором имеет место избыточный ток, исключают возможность процесса с участием одного фонона. Таким образом, необходимы процессы с участием многих фононов. Рекомбинация в запи - Эти процессы представляются су - рающем слое, приводящая к воз-щественными в германиевых тун - никновению избыточного тока нельных диодах. В кремнии также обнаружены процессы, происходящие с участием двух фононов, и возможны процессы с участием трех и четырех фононов. Если такие процессы в принципе и возможны, то вероятность их должна быть весьма малой. [22]

Другой механизм образования избыточного тока учитывает взаимодействие двух электронов, которые проникают в переходную область. Один из них соединяется с совершающей туннельный переход дыркой и отдает разницу в энергиях его первоначального и конечного состояний другому электрону. Кейн рассчитал этот механизм и нашел, что он обеспечивает довольно малую часть избыточного тока. [23]

Режим насыщения характеризуется избыточным током базы и тем, что оба р-п перехода транзистора смещены в прямом направлении. [24]

Компоненты тока в туннельном диоде. [25]

Третьим компонентом тока является избыточный ток, который вблизи минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода на несколько порядков превышает два других компонента. [26]

Различные механизмы туннельного прохождения с участием энергетических состояний в запрещенной зоне, приводящие к возникновению избыточного тока. [27]

Значительно более важная компонента избыточного тока объясняется наличием энергетических уровней в запрещенной зоне. [28]

Триггер CD4093 обеспечивает защиту от избыточного тока или перегрева. [29]

Существует еще одна причина появления избыточного тока в диапазоне малых напряжений смещения. Это каналы объемных и поверхностных утечек, которые можно рассматривать как омическое сопротивление, шунтирующее р - re - переход. [30]

Страницы: 1 2 3 4