Избыточный ток

Cтраница 3

Детальные исследования показали, что величина избыточных токов существенно зависит от концентрации глубоких уровней. Так, при введении примесей, образующих глубокие уровни, или при облучении полупроводника быстрыми электронами, нейтронами или другими частицами, создающими дефекты в объеме, избыточный ток сильно возрастает. Это наглядно видно из рис. 84, где показано изменение избыточного тока при введении в Si золота, дающего глубокие уровни. Кривая 2 на этом рисунке соответствует исходному кремнию, а кривая 1 получена экстраполяцией верхних кривых к нулевому содержанию золота. При этом предполагалось, что избыточный ток при данном напряжении растет линейно с увеличением числа примесей, что довольно хорошо оправдывается на опыте. [31]

Управлять четырьмя логическими элементами нельзя, поэтому избыточный ток, остающийся от нагрузки на три схемы, может быть предназначен для RL. [32]

Непосредственными экспериментами было установлено, что величина избыточного тока через переход ( по сравнению со случаем рис. XIV.2, а) прямо пропорциональна длине канала. [33]

Вольтамперная характеристика GaAs диода после облучения.| Зависимости токов туннельного диода из кремния от интегрального потока частиц при различных напряжениях смещения па. [34]

В ( выражении ( 4) для избыточного тока стоит множитель р - плотность дефектов. Можно предположить, что она растет пропорционально интегральному потоку облучения. [35]

Рассматривает возможности сбыта газов, полученных электролитически избыточным током пиковой энергии. [36]

Мы вправе ожидать, что, поскольку зависимость избыточного тока от различных параметров дается соотношением (12.28), основной механизм определяется траекторией cabv ( рис. 12.14), приближение постоянного поля является хорошим и простая формулировка соотношения (12.23) справедлива. Этот - механизм предполагает, что любой фактор, увеличивающий N х, увеличивает ток в минимуме. Так, например, если переход подвергнут воздействию радиации, которая создает состояния в запрещенной зоне, избыточный ток и, следовательно, ток в минимуме будут возрастать. [37]

Однако практически в этом режиме через днод протекает некоторый избыточный ток, определяемый локальными уровнями в запрещенной зоне, а также диффузионная составляющая тока. [38]

Опыты с закаленным материалом показали, что при закалке избыточный ток резко уменьшается. Впервые это было показано в работе [45] на примере туннельных диодов из германия с мышьяком, а затем в [46] на примере диодов из германия с фосфором. Эти результаты хорошо объясняются данными по комплексообразованию и термообработке кристаллов. [39]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода i ( u и ее компоненты. [40]

Кроме этих составляющих, в составе тока i иногда учитывают наличие избыточного тока, определяемого как iS3 Gu. На рис. 1 - 8 приведены графики, соответствующие каждому из слагаемых в ( 1 - 13) и их сумме. [41]

Основной причиной изменения характеристик туннельных диодов при воздействии радиации является увеличение избыточного тока с ростом интегрального потока частиц. Избыточный ток обусловлен локальными примесными уровнями в запрещенной зоне, количество которых ( количество дефектов) пропорционально интегральному потоку частиц, вследствие чего при облучении туннельного диода ток минимума растет и при некотором предельном интегральном потоке участок с отрицательным сопротивлением исчезает. [42]

Ток в минимуме вольтамперной характеристики, как уже указывалось, определяется избыточным током, зависящим в первую очередь от плотности глубоких уровней в запрещенной зоне. [43]

В результате этого баланс токов в реле нарушается, в них появляется избыточный ток, равный по величине и противоположный по направлению току оборванной или зашунтированной фазы. [44]

Вблизи выступающих частей катода располагаются дополнительные катоды, воспринимающие на себя часть избыточного тока, устремляющегося к выступу. Конечно это связано с некоторой затратой металла, отлагающегося на дополнительном катоде. [45]

Страницы: 1 2 3 4