Обратный ток - эмиттер
Cтраница 1
Обратный ток эмиттера способствует рассасыванию заряда в базе и тем самым уменьшает время задержки выключения транзистора и задний фронт импульса коллекторного тока. [1]
 |
Схема ключа на кращаются, но увеличивается время рас-гранзисторе, включенном по, л пс - ч. [2] |
Обратный ток эмиттера способствует рассасыванию заряда в базе и тем самым уменьшает время рассасывания транзистора и время спада импульса коллекторного тока. [3]
Обратный ток эмиттера / Эбо и обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи базы измеряются аналогичным способом. [4]
Поскольку обратный ток эмиттера э-абр в 10 - 15 раз меньше тока / к0, относительная нестабильность периода колебаний блокинг-генера-тора с общей базой при Еэ Ек примерно на порядок меньше нестабильности периода колебаний блоюшг-генератора с общим эмиттером. [5]
Значения обратных токов эмиттера и коллектора определяются в основном сопротивлениями во внешних цепях и ЭДС источников питания. Граничные концентрации неосновных носителей в базе около p - n - переходов не могут мгновенно после переключения входа транзистора уменьшиться до нуля. Это соответствовало бы бесконечно большим градиентам концентрации неосновных носителей заряда в базе около р - - переходов и бесконечно большим токам, чего практически быть не может из-за конечных значений сопротивления во внешних цепях транзистора. [6]
Значения обратных токов эмиттера и коллектора определяются в основном сопротивлениями во внешних цепях и ЭДС источников питания. Граничные концентрации неосновных носителей в базе около р-и-переходов не могут мгновенно после переключения входа транзистора уменьшиться до нуля. Это соответствовало бы бесконечно большим градиентам концентрации неосновных носителей заряда в базе около р - / г-переходов и бесконечно большим токам, чего практически быть не может из-за конечных значений сопротивления во внешних цепях транзистора. [7]
Желательно измерить обратный ток коллетора, обратный ток эмиттера и ориентировочное значение коэффициента усиления по току. Есть специальные приборы для измерения этих параметров транзисторов, например прибор ТЛ-4М. [8]
ЗБО и / / о - обратные токи эмиттера и коллектора при соответственно разомкнутых коллекторе и эмиттере; USE и U КБ - потенциалы эмиттера и коллектора относительно базы. [9]
 |
Схема для измерения выходной проводимости транзисторов. [10] |
По такой же методике может быть измерен обратный ток эмиттера. При этом напряжение подается на переход эмиттер - база. Транзистор считается годным, если значение обратного тока коллектора ( эмиттера) находится в пределах нормы. [11]
 |
Схема для измерения обратного тока коллектора транзистора. [12] |
По такой же методике может быть измерен обратный ток эмиттера. При этом напряжение подается на переход эмиттер - база. [13]
ГЗООК фт 26 мВ); / ЭБО - обратный ток эмиттера; U БЭ - управляющее переходом база - эмиттер напряжение. По формуле ( 1) можно вычислить практически все входные параметры дифференциального каскада. [14]
В цепи база - эмиттер существуют обратный ток базы и обратный ток эмиттера. [15]
Страницы: 1 2 3