Обратный ток - эмиттер
Cтраница 2
Прибор Ц4341 рассчитан на измерение основных статических характеристик транзисторов малой и средней мощности: коэффициента передачи по току, обратного тока эмиттера, обратного и начального тока коллектора. [16]
Как показывает совместное рассмотрение графиков на рис. 3 - 13 и условия ( 3 - 16), при достаточно больших гк ( 106 ом) и п 1 это условие выполняется уже при обратных токах эмиттера. [17]
 |
Принципиальная схема прибора для испытания транзисторов. [18] |
Основными параметрами транзисторов, определяющими гарантированную работу в схемах, являются: коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером р, начальный ток коллектора / к, обратный ток коллектора / ко, обратный ток эмиттера / эо, максимально допустимая мощность рассеивания коллектором при естественном охлаждении Ртах. [19]
 |
Эмиттерный повторитель. [20] |
Как уже отмечалось ранее, весьма важным вопросом является влияние температуры на работу транзистора. При повышении температуры растут обратные токи эмиттера и коллектора ( Уэо и / ко), величины которых примерно удваиваются через каждые 10 С. Транзистор нагревается за счет мощности, рассеиваемой на р-п-переходах. Так, для маломощных транзисторов при повышении мощности рассеяния на коллекторном переходе на 1 мет его температура возрастает приблизительно на ( 0 4 - ьО 5) С. [21]
Суммарный ток неосновных носителей через эмиттер и коллектор в режиме экстракции определяется тепловой генерацией в базовой области и примыкающих к эмиттеру и коллектору поверхностях базы. Следовательно, с увеличением обратного тока эмиттера концентрация неосновных носителей в базе уменьшается, что приводит к соответствующему уменьшению тока коллектора. [22]
Но недостаточно измерить только величины сопротивлений переходов, чтобы сделать вывод о работоспособности транзистора. Желательно измерить обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера и ориентировочное значение коэффициента усиления по току. Есть специальные приборы для измерения этих параметров транзисторов, например, прибор ТЛ-4М. [23]
Все измерения необходимо выполнять при вполне определенных значениях напряжения на коллекторе по технической характеристике транзистора. Транзисторы, работающие в импульсных схемах ( как в РМ-П4Б), проверяют по обратному току эмиттера / эо - Отключают вывод коллектора, переключателем Я / С / изменяют полярность на участке база - эмиттер, резистором пределов измерения R3 выбирают предел измерения левого гальванометра и включением кнопки К2 отсчитывают / эо. [24]
Аналогично образуется и начальный ток эмиттера / ЭБК-Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / КБО определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [25]
Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов, находящихся при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / КБО определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [26]
Аналогично образуется и начальный ток эмиттера / ЭБК-Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так, обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / Кво определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [27]
В импульсных устройствах обычно применяется схема включения транзистора с ОЭ. В импульсном режиме, как правило, открытый транзистор работает в режиме насыщения, а закрытый - в режиме отсечки. Обратный ток эмиттера пренебрежимо мал по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютной величине равен току / ко. [28]
При этом уменьшается и остаточное напряжение, но его изменение более чем на порядок слабее изменения t / cp и им можно пренебречь. Зависимость Ucv от интенсивности засветки наиболее сильно проявляется при малых интенсивностях. Генерированные светом неосновные носители уносятся электрическим полем базы в направлении контакта Би поэтому обратный ток эмиттера в этом случае не меняется. [29]
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей, накопленных в области базы транзистора. В первый момент после изменения направления тока эмиттера концентрации неосновных носителей в базе около р-п-переходов эмиттера и коллектора велики. Значит, величина обратного тока эмиттера и тока коллектора после переключения определяется сопротивлениями во внешних цепях. Концентрация неосновных носителей в базе около р-я-переходов не может мгновенно уменьшиться до нуля. [30]
Страницы: 1 2 3