Большой обратный ток
Cтраница 1
 |
Вольт-амперная характеристика обращенного диода. [1] |
Большой обратный ток и нелинейность вблизи нулевой точки позволяют использовать такие туннельные диоды в качестве пассивного элемента радиотехнических устройств, детекторов и смесителей для работы при малом сигнале и как ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. [2]
Большой обратный ток и нелинейность вблизи нулевой точки позволяют использовать такие туннельные диоды в качестве пассивного элемента радиотехнических устройств, детекторов и смесителей для работы при малом сигнале и как ключевые устройства для импульсных сигналов малой амплитуды. При изготовлении обращенных диодов добиваются, чтобы степень вырождения одной из областей была малой. Например, n - область легируют так, чтобы уровень Ферми располагался вблизи нижней границы зоны проводимости. Вольт-амперная характеристика такого прибора принимает вид, приведенный на рис. 3.21. При прямом включении участок с отрицательной проводимостью исчезает. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода практически не отличается от характеристики обратно смещенного туннельного диода. [3]
При достаточно большом обратном токе ( / 2y / i i Щ отношение t / tv у ДНЗ может составлять 0 2 - 0 3 и менее. Такая прямоугольная форма импульсов используется в генераторах армоник, умножителях частоты, диодных усилителях, формирователях импульсов и других схемах. [4]
Оно препятствует появлению большого обратного тока при заходе отрицательных напряжений за точку перегиба характеристики. Следует отметить, что при большой амплитуде напряжения ( больше 3 - 5 В) у полупроводниковых детекторов снижается входное сопротивление и коэффициент передачи напряжения. Кроме того, эти детекторы по сравнению с ламповыми менее стабильны. Однако отсутствие источника накала, малые массы и габариты, а также большой срок службы определяют широкое применение полупроводниковых диодов при детектировании. [5]
Однако они имеют недостаток - большой обратный ток, величина которого сильно зависит от температуры. На более высоких частотах эти диоды не применяются из-за большого значения барьерной емкости. [6]
 |
Изменение тока при перемене поляркости напряжения с прямого на обратное направление. [7] |
Поэтому - в первый момент возникает большой обратный ток / обр, который протекает в течение промежутка времени ti, и значение его зависит от величины протекавшего до этого тока. С исчезновением накопленных неосновных носителей заряда ток снижается с постоянной времени т до своего нормального значения / о. Начальный обратный ток / обр пропорционален значению протекавшего до этого тока. [8]
 |
Исход запирания триода в зависимости от мгновенного значения плавающего напряжения питания. [9] |
Вследствие умножения в коллекторном переходе и протекания большого обратного тока базы по распределенному базовому сопротивлению эмиттер может оказаться открытым В центре. [10]
В большинстве случаев для этого потребовался бы недостижимо большой обратный ток. [11]
Очевидно, это значение может быть уменьшено при большом обратном токе. [12]
При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [14]
При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [15]
Страницы: 1 2 3 4