Большой обратный ток

Cтраница 3

Пока через структуру течет достаточно большой обратный ток, напряжение на тиристоре равняется приблизительно 0 7 в. После удаления дырок и электронов из областей, прилегающих к переходам J и / з, протекание обратного тока прекращается и переходы 1 и - з переходят в запертое состояние. Тогда обратное напряжение на тиристоре возрастает до величины, которая определяется внешней цепью. Снижение концентрации носителей в этой зоне происходит в результате процесса рекомбинации, который практически не зависит от внешнего напряжения. После понижения концентрации дырок и электронов вблизи перехода h до достаточно малой величины переход / 2 переходит в запертое состояние и появляется возможность снова прикладывать к вентилю прямое напряжение ( меньшее его напряжения включения), не вызывая его отпирания. [31]

В основном в осциллографах применяются кремниевые транзисторы. При использовании германиевых транзисторов возникает большая температурная нестабильность из-за их большого обратного тока. [32]

Селеновые выпрямители достаточно широко использовались в магнитных усилителях с большим коэффициентом усиления. К их основным недостаткам относятся: большое прямое падение напряжения; большой обратный ток; относительно большие размеры и вес. [33]

Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [34]

Обычный способ запирания тиристора, проводящего ток от источника питания постоянного тока, сводится к подключению на зажимы тиристора заряженного конденсатора так, чтобы катод получил положительный потенциал относительно анода. Заряженный конденсатор представляет собой источник отрицательного напряжения с очень низким сопротивлением, что обеспечивает возможность прохождения достаточно большого обратного тока и выключения вентиля в кратчайшее время. [35]

Зависимость длительности / о горизонтального участка обратного тока от длительности пр импульса прямого тока для вентилей с различной толщиной базы. [36]

Выключение осуществляется импульсом напряжения обратной полярности, подаваемого на вентиль после прекращения импульса прямого тока. В случае приложения запирающего напряжения на р - - переходе некоторое время сохраняется прямое смещение, вследствие того что концентрации неравновесных носителей отличим от нуля - и - через вентиль ярвтекает большой обратный ток, зависящий от внешнего напряжения. Величина тока ограничена сопротивлением внешней цепи вентиля и не зависит от свойств вентиля. Сопротивлением вентиля обычно пренебрегают, так как его величина мала по сравнению с сопротивлением остальной части цепи. Напряжение на p - n - переходе постепенно уменьшается до нуля вследствие рассасывания избыточных носителей заряда у границ перехода ( участок t0 - tv на рис. 1.36, б) ив момент времени tlt когда концентрация носителей у границ перехода достигает равновесного значения ( рис. 1.36, в), меняет знак. При этом сопротивление перехода резко возрастает и обратный ток уменьшается до установившегося значения. [37]

Полученная величина коэффициента р измерена в схеме с общим эмиттером при напряжении питания 3 7 - 4 7 в и сопротивлении 500 ом в цепи коллектора. Если же при измерении коэффициента усиления р ручками Грубо и Точно не удается установить стрелку прибора на О шкалы р ( стрелка зашкаливает), значит, коэффициент р при измеренном 1КО больше величины, соответствующей этому току. Маломощные транзисторы, имеющие одновременно большой обратный ток ( 1КО5 мка) и большой коэффициент усиления ( Р150), не могут быть использованы в большинстве практических случаев. [38]

Поскольку транзистор 7 оказался закрытым, те-теперь во время действия очередного импульса 77 / i открывается второй транзистор переключательной цепи Tz током в его базу, текущим через резистор R2 и диод смещения Де. Транзистор Т2 входит в насыщение и переключает в свою коллекторную цепь ток цепи хранения информации. Кроме того, он создает также большой обратный ток в цепи базы транзистора Т3, обеспечивая его быстрое закрывание. [39]

Зависимости or времени тока через диод ( а, напряжения на базе ( б, напряжения на р - - переходе ( в и напряжения на диоде ( г при работе диода на больших импульсах тока в схеме с генератором тока, а также распределение концентрации неосновных носителей в базе диода в различные моменты времени при включении диода ( д и при выключении диода ( е. [40]

Концентрация электронов около р-п-перехода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем боль-ше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [41]

Этот слой образует р - n - переход ( см. фиг. Наконец затвердевает индий и к пластинке можно присоединить контакты. Этот процесс хорошо разработан и для случая системы алюминий - кремний. Сразу после приготовления таких переходов скорость поверхностной рекомбинации вблизи индиевого электрода обычно оказывается очень высокой, что обусловливает большой обратный ток. [42]

Конструкция точечного диода ( а и структура его перехода ( б. [43]

Особый интерес представляют диоды с накоплением заряда ( ДНЗ) [44], у которых время восстановления значительно меньше времени рассасывания, так что выброс обратного тока имеет почти прямоугольную форму. Такое соотношение времен ig и tp ( обратное по отношению к обычным диодам) достигается благодаря наличию тормозящего электрического поля в базе. Тормозящее поле способствует скоплению инжектированных носителей вблизи эмиттера и тем самым - малому остаточному заряду в конце этапа рассасывания. Внутреннее тормозящее поле обеспечивается неоднородностью базы. При достаточно большом обратном токе ( / 2 / / i 10) отношение tjt у ДНЗ может составлять 0 2 - 0 3 и менее. Такая прямоугольная форма импульсов используется в генераторах гармоник, умножителях частоты, диодных усилителях, формирователях импульсов и других схемах. [44]

Схема переключателя постоянного тока на триодных тиристорах. [45]

Страницы: 1 2 3 4