Толщина - ламель
Cтраница 3
Переохлаждение, вызванное давлением, должно, как это следует из данных, приведенных на рис. 3.6, б, сопровождаться увеличением толщины ламелей. [31]
 |
Величина большого периода ( определяющая длину складки в монокристалле ПЭВП в зависимости от температуры кристаллизации для двух раствори. [32] |
Объяснить эту особенность можно только складыванием молекулярной цепи, так как длина цепи обычно составляет около 104 А, в то время как толщина ламели равна примерно 100 А. Складывание цепи схематически представлено на рис. 3.1. Эта особенность присуща всем кристаллизующимся полимерам. Основной причиной является то, что складывание цепей снижает до минимума уровень свободной энергии, при котором начинается процесс кристаллизации. [33]
Исходное положение, на котором базируется предложенная математическая модель процесса кристаллизации, основано на результатах работ62 64, из которых следует, что число зародышей, скорость кристаллизации и толщина ламелей ( число складок) зависят от разности между величиной свободной энергии А /, приходящейся на единицу объема в расплаве и в кристаллической фазе. [34]
Для уменьшения внутреннего электросопротивления желательно было бы уменьшить расстояние между пластинами, но его нельзя сделать очень малым, так как в процессе работы положительная активная масса всегда разбухает, толщина ламелей увеличивается, от чего могут образоваться короткие замыкания. Кроме того, при малом расстоянии между электродами затруднены выход газа при заряде аккумуляторов и удаление шлама со дна при периодической промывке аккумуляторов. [36]
Представления об изменении тонкого строения сферолитов на начальных этапах растяжения в основном базируются на данных рентгеновского рассеяния в области больших и малых углов, которое чувствует уже самые незначительные отклонения ориентации кристаллографических осей и нарушения в упаковке и толщине ламелей. При этом малоугловые исследования позволяют выявить дискретный характер структурных перестроений. Интерпретация же большеугловых рентгенограмм всегда затруднена тем, что рефлексы старой и новой структуры наблюдаются ( если только нет фазовых переходов) под одними и теми же дифракционными углами. [37]
Кристаллическая форма ц ( а-форма) образуется при кристаллизации 297, 298 из расплава полимера, содержащего около 90 % звеньев с присоединением голова - хвост1: Равновесная температура плавления определена экстраполяцией из зависимостей температуры плавления от температуры кристаллизации и от толщины ламелей. Температуры плавления измеряли при нагревании со скоростью 10 град / мин, поэтому они могут быть завышены вследствие перегрева кристаллов. Теплота плавления вычислена из измеренных калориметрически теплот плавления образцов различной степени кристалличности и из данных по понижению температуры плавления в присутствии ди-н-бутилфгалата. [38]
Поскольку ае складчатой поверхности ламелей, закристаллизованных из расплава, в пределах ошибки измерений не отличается от ае ламелей единичных кристаллов, а также ла-мелей кристаллов, в присутствии большого количества растворителя [54] можно считать, что отожженные ( ае) оценивают по наклону зависимости Тпл от обратной толщины ламелей) складчатые поверхности ламелей, полученных из разбавленного раствора и расплава, практически не отличаются ни по энтропии, ни по энтальпии а следовательно, и по грубости. Для ламелей единичных кристаллов, как было показано выше, наиболее правдоподобна та модель поверхности, по которой точки входа и выхода молекул из кристалла соседствуют, и существует некое статистическое распределение складок по длинам. Очевидно, поверхность блочных ламелей устроена таким же образом. Доля проходных молекул при этом должна быть невелика и зависит от условий кристаллизации. По-видимому, в основном этими молекулами определяется механическая прочность полимера в блоке. [39]
Совпадение длины вторичного зародыша /, вычисленной при разумных допущениях, с наблюдаемой длиной складки в кристаллах полимеров, полученных из разбааченных растворов, позволяет предположить, что зародышеобразование является причиной складывания цепей Прайс [145] показал, что из уравнений ( 67) - ( 69) следует возможность существования относительно узкого распределения по длине складок, если считать, что толщина ламели при последующем росте кристалла остается близкой к первичной длине складки во вторичном зародыше критического размера. Такой подход к объяснению возможной причины складывания цепей позволяет также предсказать зависимость длины складки от температуры. [40]
С наблюдается необратимый фазовый переход в а-структуру, степень которого зависит от температуры и термической предыстории При отжиге после кирсталлизации при температуре 140 С сначала наблюдается плавление, степень которого все время возрастает, после чего следует рекристаллизация ( 200 - 247 С); отжиг при температуре 220 С в течение 24 ч после предварительной кристаллизации при 110 С ( 30 мин) приводит к увеличению толщины ламели от 130 до 210 А и, возможно, к большей регулярности складок ( вывод сделан на основании экспериментов по травлению); отжиг хорошо закристаллизованных образцов при 260 С ( 48 ч) увеличивает большой период с 160 до 172 А, в то время как молекулярный вес удваивается ( отжиг в условиях вакуума) ( см. также разд. [41]
При кристаллизации разбавленных 136, растворов в фенил - и амилаце - 137 тате при нагревании до различных температур образуются кристаллы различной формы ( длина складки 70 - 110 А); температуры кристаллизации 45 -, 50 и 57 С; гексагональные ( тригональные) ламели и планкоподобные ( орто-ромбические) структуры утолщаются при отжиге выше температуры 70 С и в них образуются дырки; квадратные ( тетрагональные) ламели в процессе отжига до температуры 79 С мало изменяются при времени отжига 21 5 ч; толщина ламелей после отжига достигает 250 А; наблюдаемые в процессе отжига полиморфные превращения описаны в разд. [42]
 |
Возникновение полосатости ориентированных микрофибрилл при. [43] |
Оказалось, что равновесное состояние тонких растянутых пленок достигается при длительном отжиге вблизи Гпл, которая приблизительно такая же, что и у блочных образцов того же полимера. Толщина ламелей определяется условиями отжига и в направлении растяжения она приблизительно одинакова ( 80 - 100 А), тогда как расстояния между ламелями могут значительно изменяться. [44]
Наличие рекристаллизации на поверхностях кристалла подтверждается также эпитаксией расплавленного с поверхности материала, которая обнаруживается при разломе полиэтилена и политетрафторэтилена, как это описано в разд. Толщина ламелей, подвергшихся рекристаллизации, соответствует толщине ламелей в закристаллизованных из расплава образцах, что позволяет рассматривать рекристаллизацию как обычную кристаллизацию, при которой роль первичных зародышей кристаллизации играют поверхности кристаллов. Поэтому можно ожидать, что рекристаллизация полностыс регулируется остающимися активными поверхностями кристаллов и обычным молекулярным зародышеобразованием ( разд. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5