Толщина - активная область
Cтраница 1
 |
Принцип действия полупроводникового лазера. [1] |
Толщина активной области обычно составляет 1 мкм. [2]
Поскольку толщина активной области базы очень мала, время пролета неосновных носителей заряда через базу не является основным фактором, определяющим частотные свойства транзистора ИМС. [3]
 |
Типичный GaAs-лазер с широким р - п-гомоперсходом. [4] |
Заметим, что, как отмечалось выше, толщина активной области в перпендикулярном к р - - переходу направлении составляет около 1 мкм. Следовательно, лазерный пучок довольно далеко проникает в р - и - области, где испытывает сильное поглощение. Вследствие этого лазер не может работать в непрерывном режиме при комнатной температуре ( или выйдет из строя через очень короткое время. Однако пороговая плотность тока в диодном лазере быстро уменьшается с понижением рабочей температуры. Это обусловлено тем, что с понижением температуры величина fc ( l - fv) увеличивается, a fv ( l - fc) уменьшается. Поэтому усиление [ которое зависит от разности fc ( l - fv) - M. [5]
 |
Связь между энергией электронов Ее и глубиной их проникновения в полупроводник de. Слева отмечены пороговые энергии возникновения радиационных дефектов. [6] |
В § 20 показано, что порог генерации резко возрастает, когда толщина активной области становится сравнимой или меньше длины волны генерируемого излучения. Это накладывает ограничения на Ее снизу. Если Ее; Efm, то глубина проникновения электронов в кристалл, а следовательно, и толщина активного слоя оказываются слишком малыми, чтобы можно было преодолеть дифракционные потери излучения. [7]
К таким транзисторам относится, например, диффузионно-сплавной транзистор типа П416, имеющий толщину активной области базы 2 мкм и, как следствие, частоту / V порядка 100 - 200 Мгц, но толщину высоко-омного слоя в коллекторе 70 - 80 мкм и, как следствие, времена рассасывания 300 - 500 нсек. Более современные типы транзисторов, такие, как ГТ31Г и др., выполнены специально для работы в насыщенных импульсных схемах и имеют малые времена рассасывания. [8]
Анализ этого явления для бездрейфовых мощных германиевых транзисторов [25] показал практически линейную зависимость коэффициента йм превышения коллекторным током значения / 121Э / Б т питающего напряжения, что обусловлено наличием у таких транзисторов пассивной области базы и эффектом модуляции толщины активной области базы при закрывании транзистора. [9]
 |
Прямые ВАХ диодов в области больших ( а и малых ( б. [10] |
Для обеспечения механической прочности пластины ( во избежание поломки) толщина пластины должна быть более 150 - 200 мкм. Однако для ДШ с рабочим напряжением до 50 В толщина активной области кристалла не должна превышать 10 мкм. Выходом является конструкция на рис. 1.34 6, активный слой которой w - 2 - МОмкм, а сильнолегированная подложка с концентрацией доноров yVDi 5 - 1018 - f - 5 - 1019 см-3 имеет значительную толщину шп - около 200 мкм. Наличие такой подложки значительно снижает сопротивление г Б и облегчает создание омического контакта с металлом катода. [11]
 |
Распределение концентрации примеси для трех типов транзисторов ( А, В, С с различной глубиной залегания р-я-переходов. Электрические и геометрические параметры транзисторов указаны в. [12] |
Распределение примеси в этих транзисторах показано на рис. 2.41. У транзистора с шириной эмиттера и шириной зазора между окнами эмиттера и базы 1 9 мкм граничная частота более 7 15 ГГц. Такой транзистор имеет мелкую структуру ( рис. 2.41): глубина залегания коллекторного р-пнперехода 0 32 мкм, а эмиттерного - 0 20 мкм. Толщина активной области базы транзистора содержит всего 20 атомных слоев кремния. [13]
 |
Принцип действия полупроводникового лазера на основе р - л-пе-рехода и отсутствие смещения ( а и при смещении в прямом направлении ( 6. [14] |
По существу, при смещении в прямом направлении происходит инжек-ция в активный слой электронов из зоны проводимости материала л-типа и дырок из валентной зоны материала р-типа. Как только электрон достигает материала р-типа, он становится неосновным носителем и диффундирует до тех пор, пока не ре-комбинирует с дыркой в валентной зоне. Поэтому толщина активной области d приблизительно равна среднему расстоянию, проходимому электроном до рекомбинации с дыркой. Согласно теории диффузии, толщина d дается выражением d - / Dr, где D - коэффициент диффузии, а т - среднее время существования неосновного носителя до рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2