Cтраница 2
Объясним физический смысл параметров схемы Притчарда, кратко описав процессы, происходящие в транзисторе. Для примера рассмотрим схему рис. 2.14 а, в которой транзистор типа р-п - р включен по схеме с общей базой. Здесь источники постоянного тока обеспечивают требуемые для нормальной работы прибора напряжения Еэ и Ек на эмиттере и коллекторе. При этом эмиттер имеет смещение в прямом направлении, а р-п-переход коллектора - в обратном направлении. За счет диффузии ( или дрейфа) основная доля этих носителей переносится через малую толщину W базы и, достигая коллекторного перехода, экстрагируется его полем, а затем достигает внешнего зажима к коллектора. Поскольку толщина W активной области базы мала, то лишь незначительная доля эмиттерного тока ответвляется к внешнему выводу б базы. В связи с этим постоянный ток / ко коллектора практически равен постоянному току / эо эмиттера ( 7ко - / эо) и при этом постоянный ток базы / бо / эп - / ко - С / эо оказывается много меньше инжектируемого тока / эо эмиттера. [16]