Толщина - наносимая пленка
Cтраница 2
Подколпачное устройство включает в себя также систему ионной очистки, установленную неподвижно в одной из позиций, систему нагрева подложек, датчики контроля сопротивления и толщины наносимой пленки. С увеличением числа позиций сокращается доля вспомогательного времени откачки, приходящегося на одну подложку. [16]
 |
Вольт-амперная характеристика самостоятельного газового разряда. [17] |
В сравнении с термическим вакуумным испарением распыление ионной бомбардировкой имеет следующие преимущества: возможность нанесения на подложку соединений и сплавов без разложения и фракционирования, пленок из тугоплавких материалов; равномерность толщины наносимых пленок на большой площади; возможность длительного использования источника материала ( мишени); повышенную адгезию наносимых пленок к подложке; малую инерционность процесса. [18]
По технологическому принципу изготовления гибридные интегральные микросхемы делят на толстопленочные и тонкопленоч-иые. Толщина наносимых пленок, образующих элементы микросхемы, составляет единицы и десятки микрометров. При изготовлении тонкопленочных микросхем пассивные элементы получают путем последовательного нанесения проводящих, резистивных и диэлектрических слоев толщиной порядка десятых и сотых долей микрометра. Необходимая конфигурация элементов в этом случае достигается либо с помощью трафаретов в процессе нанесения пленки, либо путем избирательного химического травления сплошной пленки. [19]
Эти металлы наносятся в виде тонких пленок на более твердые подложки. При выборе толщины наносимых пленок необходимо руководствоваться тем, что с одной стороны существуют некоторые оптимальные толщины, соответствующие минимальным значениям коэффициента трения, а с другой стороны толщина пленки должна обеспечивать заданный ресурс работы подвижного сопряжения. [20]
При напылении, для получения конденсации пара напыляемого материала, Температура подложек поддерживается более низкой, чем температура испарения материала. В процессе напыления контролируется толщина наносимой пленки. Напыление одной пленки занимает время от нескольких секунд до нескольких минут. [21]
Чистота обработки поверхности должна быть высокой, во-первых, для обеспечения однородности и воспроизводимости параметров пленки, во-вторых, для получения прочной пленки, что особенно трудно при толщинах в сотни ангстрем. Высота микронеровностей поверхности подложки должна быть меньше толщины наносимой пленки. [22]
 |
S, Изоляция БГИ в местал пересечения со сплошным слоем и окнами. [23] |
При вакуумном напылении диэлектрических и проводящих слоев широко применяется изменение угла падения молекулярного пучка на подложку. Для этого вращают подложкодержатели, чем обеспечивается высокая равномерность толщины наносимой пленки. Иногда после вытравливания окон в Диэлектрике производится электролитическое осаждение металла проводника в полученные отверстия. Осаждение ведется до тех пор, пока толщина металла в отверстиях не станет равной толщине диэлектрика. Если необходимо получить малую емкость пересечений при относительно большом сопротивлении проводников, целесообразно использовать в качестве диэлектрика двухслойную структуру окись тантала - двуокись кремния. [24]
Эта операция требуется для изменения вязкости и сухого остатка клея. Оба эти показателя влияют на выбор способа нанесения и толщину наносимой пленки. Разбавляют главным образом клеи, содержащие растворители. Разбавитель должен быть совместимым с растворителями и разбавителями, которые уже содержатся в клее. Вязкость определяют после тщательной гомогенизации клея. [25]
В случае динамического метода используют растворы неподвижной фазы, причем толщина наносимой пленки может варьироваться в широких пределах скоростью пропускания раствора через колонку ( в пределах от десятой доли до 100 см / с), его вязкостью и поверхностным натяжением. Отсюда, в частности, вытекает возможность реагирования толщины пленки путем выбора природы растворителя. [26]
Катодное и магнетронное распыление ( табл. 7.5) обычно используется для получения пленок тугоплавких металлов и диэлектриков. Планетарное вращение подложек в установках типа Оратория-5, УВН-74П-4 ( табл. 7.4, 7.5) позволяет обеспечить равномерное распределение толщины наносимой пленки. Химическое осаждение применяется, главным образом, для металлизации крупногабаритных звукопроводов длиной свыше 100 - 180 мм. [27]
Высокие требования к материалу подложки по механической прочности вызваны тем, что подложка является не только основанием для элементов схемы, но и конструкционной деталью схемы, подвергающейся большим механическим воздействиям при армировании схемы выводами и в процессе эксплуатации. Поверхность подложки должна быть зеркальной. От степени шероховатости поверхности подложки зависит толщина наносимых пленок. [28]
Для защиты рулонных металлов расширяется использование полиэфирных и полиуретановых порошковых материалов. Во Франции, например, в 1984 г. в строительстве потреблено 50 млн. м2 рулонного алюминия с порошковым полиэфирным покрытием. Удельный расход этих красок на фасадных алюминиевых панелях составляет 160 г / м2, толщина наносимых пленок - 60 - 80 мкм. Покрытия отличаются высокими атмосферо-и коррозионной стойкостью. Возрастает использование двухупаковочных полиуретановых и эпоксидных покрытий ускоренной сушки. [29]
Так, глазурованная ( остеклованная) или полированная поверхность имеет меньшую адгезию с толстыми пленками. Кроме того, пленочная глазурь может взаимодействовать с глазурью подложки, что приводит к ухудшению параметров и стабильности элементов схемы. Но слишком шероховатая поверхность непригодна вследствие неравномерности толщины наносимых пленок. Считается оптимальной чистота поверхности с шероховатостью 0 3 - 0 6 мкм. [30]
Страницы: 1 2 3