Толщина - диэлектрическая пленка
Cтраница 1
Толщина диэлектрических пленок ограничена сверху и снизу и для большинства материалов лежит в пределах от 0 1 до 2 мкм. [1]
Иногда для определения толщин диэлектрических пленок, нанесенных на проводящие подложки, применяют емкостный метод. Емкость обратно пропорциональна толщине пленки, прямо пропорциональна площади электрода, который наносится на диэлектрическую пленку ( при условии, что площадь достаточно велика для сведения к минимуму краевых эффектов), и прямо пропорциональна диэлектрической постоянной пленки. К этим измерениям предъявляются ряд специфических требований: полное отсутствие в пленке сквозных проколов, точное значение диэлектрической постоянной. Диэлектрическая постоянная пленки сильно зависит от условий нанесения, см. гл. Так как имеются другие более точные методы измерения толщины диэлектрических пленок, то следует отметить, что с помощью емкостного метода измерения более эффективно определение диэлектрической постоянной тонких пленок. [2]
Рассмотрим теперь случай, когда толщина диэлектрической пленки d много больше толщины обогащенных слоев L, возникающих у металлических контактов. [3]
Этот метод пригоден для контроля толщины только диэлектрических пленок. [4]
Выпускаемый отечественной промышленностью кварцевый измеритель толщины пленок ( КИТ-1) предназначен для измерения толщины тонких металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок в лабораторных и заводских условиях. [5]
В частности, зависимость т з и Д от толщины пленки положена в основу метода измерения толщины диэлектрических пленок на поверхности полупроводников и толщины эпитаксиальных слоев на сильнолегированных подложках в структурах п-п - и р-р - типа. В инфракрасной области спектра, например на длине волны 10 6 мкм, поглощение света происходит в основном на свободных носи елях заряда и потому эпитаксиальные структуры п-п - и р-р - типа эквивалентны структуре прозрачная пленка - поглощающая подложка. [6]
Применение известных методик нахождения параметров МДП-струк-ТУР по низкочастотным ВФХ позволяет определить при заряде МДП-структуры постоянным током в области низких полей: напряжение плоских зон, напряжение инверсии, эффективный заряд диэлектрика, емкость диэлектрика, толщину диэлектрической пленки. [7]
Патент США, № 4023986, 1977 г. Из многочисленных способов отделки металлов, особенно алюминия, наиболее глубокими являются электрохимическое окисление и анодирование. Толщина диэлектрической пленки оксида алюминия, получаемой при анодировании алюминия в растворах борной кислоты, может быть 1000 А. В то же время, анодные покрытия, получаемые в охлажденных растворах серной кислоты, могут иметь толщину 127 мкм. Имеются несколько типов электролитов для анодирования, которые применяют для получения оксидных покрытий с нужными свойствами. Однако наиболее часто используется анодирование в серной кислоте. Алюминиевые изделия, которым нужно придать декоративный вид, высокую коррозионную стойкость и износоустойчивость, анодируют в этом электролите. [8]
В - постоянная, зависящая от толщины пленки и средней высоты барьера. Для туннельного тока характерно также его резкое увеличение с уменьшением толщины диэлектрической пленки. [9]
Структура материала подложки и состояние ее поверхности влияют на параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки снижает надежность тонкопленочных резисторов и конденсаторов, так как микронеровности уменьшают толщину резистивных и диэлектрических пленок. При толщине пленок около 100 нм допускается высота микронеровностей примерно 25 нм. Следовательно, обработка поверхности подложки для тонкопленочных микросхем должна соответствовать 14-му классу чистоты. Толстые пленки имеют толщину 10 - 50 мкм, поэтому подложки для тостопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 1 - 2 мкм, что соответствует 8 - 10-му классам чистоты. Для обеспечения хорошей адгезии пасты к подложке высота микронеровностей должна быть 50 - 200 нм. [10]
Через МДМ-структуру ( вместо диэлектрика может быть высо-коомный полупроводник) прохождение тока возможно двумя путями: туннелированием и надбарьерной эмиссией. Преобладающая роль одного из этих механизмов зависит от высоты потенциального барьера на границе с металлом, толщины диэлектрической пленки и температуры. [11]
 |
Гребенчатый конденсатор.. ля емкостного датчика. [12] |
Этот метод контроля особенно удобен при подгонке емкости пла-нарного конденсатора путем напыления в зазоры диэлектрической пленки. При контроле трехслойного конденсатора знание аналитической связи между емкостью пленарного конденсатора с нанесенной в область зазора диэлектрической пленкой и емкостью трехслойного конденсатора с такой же толщиной диэлектрической пленки дает возможность осуществить градуировку внешнего регистрирующего прибора в единицах удельной емкости. [13]
К их числу относятся и носители, используемые для термомагнитооптической записи, которая аналогична термомагнитной записи ( см. § 14.7), но локальный прогрев носителя до точки Кюри осуществляется электромагнитным излучением, создаваемым, в частности, лазерами. Увеличение температуры точки Кюри приводит к соответствующему снижению чувствительности носителя и увеличению необходимой энергии записи. Толщина диэлектрических пленок обычно не превышает 1 мкм, а металлических 0 1 мкм. Значение точки Кюри для всех материалов различно: 520 С для кобальтового феррита Соо. [14]
Один из основных дефектов структуры Al-SiO - - А1 заключается в возможном появлении микротрещин в проводниках и диэлектрической пленке. Исследования показали, что плотность микротрещин в SiO на пленке алюминия значительно больше, чем в SiO на подложке. Количество микротрещин увеличивается с увеличением толщины диэлектрической пленки. [15]
Страницы: 1 2