Cтраница 3
Кривая 1 соответствует энергии магнитостатического взаимодействия между ЦМД и пер маллоевым элементом в случае, когда управляющее внешнее поле равно нулю. Два устойчивых состояния ЦМД около концов полоски соответствуют положению, в котором ЦМД наиболее эффективно намагничивает полоску. Кривая 2 соответствует зеемановской энергии, когда управляющее внешнее поле Я0 1600 А / м, а ЦМД находится сравнительно далеко от плоскости и не влияет на рас - пределение ее намагниченности. Асимметричная кривая 3 соответствует суммарной энергии с учетом влияния поля ЦМД на намагниченность полоски. Наклон этой кривой дает величину приращения эквивалентного поля в пределах длины доменного диаметра ДЯг. На рис. 13, а - г представлены графики зависимости ДЯ2 от толщины и ширины полоски, от радиуса ЦМД и от зазора между пермаллоевой аппликацией и кристаллом. Из них следует, что для ненаоыщенной аппликации толщина полоски мало влияет на ДЯ2, в то время как с увеличением ширины полоски увеличивается общее число магнитных зарядов и, следовательно, растет ДЯ2 до тех пор, пока домен не растягивается в полоску. Увеличение ДЯ2 с ростом радиуса домена объясняется тем фактом, что с увеличением размера ЦМД возрастает его влияние на намагниченность полоски. Было получено также сравнительно медленное изменение ДЯ2 с ростом зазора между аппликацией и кристаллом. [31]