Cтраница 1
Толщина препаратов при электронографических исследованиях равна примерно 10 - 5 - 10 - 6 см, тогда как величина кристаллов в рентгенографических исследованиях значительно больше: около 0 1 см. Сильное взаимодействие электронов с веществом позволяет давать очень малые экспозиции при получении электронограмм - несколько секунд, а экспозиции в рентгенографии измеряются часами. [1]
![]() |
Электронно-микроскопические снимки поверхностей скола синтетического кварца. [2] |
С увеличением толщины препарата или переходом к интенсивно замутненным зонам отдельные трещинки перестают прослеживаться и сливаются в расплывчатую молочно-белую вуаль. В слабо замутненных зонах можно обнаружить, что каждая эллипсовидная трещинка содержит микроскопические включения, различимые в виде светорассеивающих точек. Подобные точечные включения всегда располагаются по контуру трещинок, выявляя их конфигурацию. В проходящем свете эти включения остаются незаметными даже при больших увеличениях. Выполненное микроскопическое изучение препаратов из природных кристаллов с голубыми лучами показало, что в большинстве случаев трещины, образующие этот дефект, содержат газожидкие включения и превосходят по своим размерам микротрещины, наблюдаемые в отожженном синтетическом кварце. [3]
![]() |
Зависимость относительной скорости счета в различных энергетических областях р-спектра от толщины препарата. [4] |
При увеличении толщины препаратов р-спектры деформируются из-за эффектов саморассеяния и самопоглощения. Наиболее сильно ослабляются и поглощаются р-частицы с малыми энергиями. [5]
При вариации толщин препаратов Y от 10 до 70 мг / см2 поправки на разность толщин калибровочных и анализируемых препаратов не вводятся. [6]
Для большинства а-излучателей толщина препарата не выше 1 мг / см2 удовлетворяет условию тонкого слоя. [7]
![]() |
Торцовый счетчик. 1 - счетчик. 2 - образец. 3 - подложка. 4 - диафрагма. 5 - пластмассовый домик. 6-свинцовый домик. [8] |
При этом дальнейшее увеличение толщины препарата не повышает скорость счета; в) толщина препаратов значительно меньше средней длины пробега р-частиц в данном веществе. [9]
Максимум кривых самоослабления при толщине препаратов, равной 0 03 - 0 1 тах, объясняется рассеянием Р - ЧЗСТИЦ в материале самого препарата. В результате рассеяния нарушается изотропность углового распределения Р - ЧЗСТИЦ и увеличивается число частиц, вылетающих под большими углами к плоскости препарата. [10]
Величина коэффициента самоослабления зависит от толщины препарата, атомного номера материала препарата и от энергии испускаемых препаратом частиц или квантов. Зависимость коэффициента S от указанных факторов теоретически не установлена, поэтому при измерении абсолютной активности достаточно толстых образцов поправка на самоослабление должна быть выработана для каждого изучаемого изотопа в отдельности и именно в веществе того соединения, в котором изотоп поступает на измерение. [11]
![]() |
Зависимость истинных коэффициентов обратного рассеяния ( с учетом поправок на поглощение обратно рассеянного излучения от атомного номера подложки. [12] |
Эффект обратного рассеяния уменьшается, если толщина препарата возрастает. [13]
![]() |
Зависимость активности. [14] |
По Этому Графику по измеренной активности и толщине препарата определяют активность насыщенного слоя. Для этой цели откладывают на оси абсцисс толщину препарата, восстанавливают перпендикуляр до пересечения с кривой. Частное от деления измеренной активности на ординату точки пересечения составляет активность в слое насыщения. [15]