Толщина - запорный слой
Cтраница 1
Толщина запорного слоя g может быть определена измерением его емкости. Запорный слой можно рассматривать как слой изолятора между двумя хорошо проводящими пластинами - металла и полупроводника, которые являются как бы обкладками плоского конденсатора. [1]
 |
Схема образования запорного слоя в полупроводниковом конденсаторе. [2] |
Толщина запорного слоя d увеличивается с ростом запорного напряжения, а в соответствии с этим емкость запорного слоя снижается. Таким образом, изменяя величину напряжения, приложенного к такому конденсатору в запорном направлении, мы можем изменять его емкость. [3]
Толщина запорного слоя выпрямителя определялась многократно по емкости. Порядок ее 2 - 10 - е до 1 - 10 - 5 см; заметные же отступления от закона Ома начинают появляться при 10 - 30 мкв, что соответствует полю в 1000 - 15 000 в / см. Совершенно аналогичные значения, и даже несколько меньшие, мы получали для хорошо обез-гаженной закиси меди. [4]
Поскольку толщина запорного слоя зависит от величины напряжения р - n - перехода, сечение открытого для электронов канала, а вместе с ним сопротивление стержня управляется напряжением усиливаемого сигнала. [5]
Поскольку толщина запорного слоя зависит от величины напряжения на р-п переходе, сечение открытого для электронов канала, а вместе с ним сопротивление стержня, управляется напряжением усиливаемого сигнала. [6]
С уменьшением толщины запорного слоя Ьг электрохи мическая активность возрастает. [7]
 |
Прямое ( а и обратное ( б включения р - / г-перехода. [8] |
В этом случае толщина запорного слоя резко уменьшается, а его сопротивление падает. [9]
Оказалось, что при толщине запорного слоя около одной миллионной сантиметра коэффициент выпрямления достигает наибольшего значения; при этом запорный слой может состоять из любого непроводящего материала - кварца, шеллака, тонкой слюды. Самым неожидапным образом выяснилось, что зпак вы-прямлепия меняется в зависимости от применяемого полупроводника. В закиси меди, селене, сернистой меди пропускной ток течет, когда металл служит катодом. В окиси цинка, окиси алто-мипия, наоборот, пропускной ток наблюдается, когда металл служит положительным полюсом. Первые материалы являются полупроводниками с позитронпой проводимостью, л вторые - обладают электронной проводимостью. [10]
Оказалось, что при толщине запорного слоя около одной миллионной сантиметра коэффициент выпрямления достигает наибольшего значения; при этом запорный слой может состоять из любого непроводящего материала - кварца, шеллака, тонкой слюды. Самым неожиданным образом выяснилось, что знак выпрямления меняется в зависимости от применяемого полупроводника. В закиси меди, селене, сернистой меди пропускной ток течет, когда металл служит катодом. [11]
Заключение теории выпрямления, что толщина запорного слоя растет в запорном направлении и убывает в пропускном, подтверждается непосредственным опытом. Так как удельное сопротивление запорного слоя весьма велико по сравнению с основной толщей полупроводника, то запорный слой играет роль изолирующей прослойки конденсатора, обкладками которого служат электрод и полупроводник. [12]
Заключение теории выпрямления, что толщина запорного слоя растет в запорном направлении и убывает в пропускном, подтверждается непосредственным опытом. Так как удельное сопротивление запорного слоя весьма велико по сравнению с основной толщей полупроводника, то запорный слой играет роль изолирующей прослойки конденсатора, обкладками которого служат электрод и полупроводник. [13]
 |
Схема выпрямления на контакте полупроводник - металл. [14] |
Если длина свободного пробега и толщина запорного слоя одного и того же порядка, то ни та, ни другая теория неприменимы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5