Толщина - запорный слой
Cтраница 2
Благодаря чрезвычайно малой емкости, ничтожной толщине запорного слоя ( 10 - 6 см), сквозь который электроны проходят при скорости 10 см / сек, за 10 - 13 сек. Малые размеры, массовость и дешевизна изготовления содействуют широкому использованию германиевых приборов в радиотехнике и радиолокации. [16]
 |
Вольт-амперная ха - ледяной уксусной кислоты и 0 3 см рактеристика p - n - перехода брома. При травлении германии окисляется и переходит в раствор до тех пор, пока толщина пластинок станет. [17] |
Таким образом, в переменном поле толщина запорного слоя то увеличивается, то уменьшается, что обеспечивает преимущественно одностороннюю проводимость выпрямляющей системы. [18]
Как следует из теории диффузионного равновесия, толщина запорного слоя пропорциональна корню квадратному из удельного сопротивления основной толщи полупроводника. [19]
Из принципа действия генератора следует, что толщина запорного слоя и пролетного промежутка связана с рабочей частотой лавинно-пролетного диода. На практике один и тот же диод может обеспечить генерацию колебаний при перестройке по частоте до 2 раз, однако при отклонении частоты от средней ( оптимальной) СВЧ-мощность снижается в несколько раз. [20]
Для изменения емкости полупроводниковых конденсаторов используется зависимость толщины запорного слоя, применяемого в качестве диэлектрика, от напряжения. При увеличении напряжения, приложенного к запорному слою в запирающем направлении, толщина этого слоя увеличивается и емкость конденсатора снижается. [21]
В таких полупроводниках длина свободного пробега сравнима с толщиной запорного слоя и электроны, пролетая через этот слой, почти не рассеиваются решеткой. Следовательно, при выполнении условия (11.1) можно не учитывать рассеяния электронов в запорном слое и считать, что все электроны, имеющие кинетическую энергию, достаточную для преодоления барьера запорного слоя, могут вылететь из полупроводника. При хорошем контакте все эти электроны свободно пройдут через тонкий зазор и попадут в металл. [22]
С той лишь разницей, что в данном случае толщина запорного слоя достаточно велика, чтобы мы имели все основания не рассматривать туннельный эффект. [24]
В зависимости от соотношения между длиной свободного пробега и толщиной запорного слоя справедливой оказывается диодная или диффузионная теория. [25]
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях U толщина запорного слоя уменьшается, а при отрицательных значениях V ( плюс на полупроводнике) - увеличивается. При положительных значениях U, когда U превысит фо / е, запорный слой исчезнет, а при U фо / е все избыточное напряжение будет падать равномерно по всей толщине полупроводника. [26]
 |
Контакт металла с полупроводником при приложенном внешнем напряжении. [27] |
Таким образом, с увеличением приложенного напряжения при положительных значениях V толщина запорного слоя уменьшается, а при отрицательных значениях V ( плюс на полупроводнике) - увеличивается. [28]
 |
Вольтамперные характеристики контакта полупроводник - металл, согласно диодной ( а и диффузионной ( б теории ( в относительных единицах. [29] |
Как видим, в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя применимы либо диодная, либо диффузионная теория. Запорные слои, к которым применима диодная теория, будем в дальнейшем называть тонкими, а слои, к которым применима диффузионная теория - толстыми. Следует иметь в виду, что здесь существенно отношение толщины слоя к длине свободного пробега, поэтому при равной толщине в веществах с большой подвижностью слой может быть тонким, а с малой подвижностью - толстым. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5