Сравнительно малая толщина

Cтраница 1

Сравнительно малая толщина одной полуобечайки вызывает необходимость установки специальных поперечных распоров для предупреждения больших деформаций при вварке вставок. Распоры надо выполнять из уголков и срезать их можно после приварки вставки, когда высота шва будет не меньше 75 % полной высоты. [1]

Физико-механические свойства отвержденных смол. [2]

Сравнительно малая толщина стеклохолстов и стеклотканей облегчает укладку И пропитку их при изготовлении конструкций. [3]

Зависимость толщины постели [ IMAGE ] Зависимость толщины по-в I отделении БОМС-10 от частоты стели во II отделении БОМС-10 от пульсаций. частоты пульсаций. [4]

Сравнительно малая толщина постели во II отделении объясняется недостаточным накапливанием в нем материала, вследствие не совсем удачной конструкции разгрузочного породного порога в I отделении. Значительная высота этого порога ( 240 мм) препятствует переходу материала из I во II отделение. [5]

Толщина растворного обрамления виброкирпичных панелей ( план. [6]

Сравнительно малая толщина панелей препятствует созданию надежной конструкции стыка между ними, а также плотному примыканию оконных блоков к стене. [7]

Благодаря сравнительно малой толщине струи горение заканчивается в пределах сферической чашки, которая, раскаляясь, превращается в тепловой излучатель. Такие горелки устанавливаются заподлицо в футеровку лечи, состоящую из специальных керамических плит толщиной 25 мм. [8]

Микалента имеет сравнительно малую толщину: 0 08; 0 10; 0 13 или 0 17 мм, включая подложки из микалентной бумаги ( стр. Клеится из слюды размером от № 5 до № 7 т о л ь к о в один ело и с перекрытием пластинок слюды примерно на одну треть. [9]

При сварке чистой меди сравнительно малой толщины в качестве присадочного металла применяют проволоку Ml или М2, так как медь в этом случае не успевает сильно окисляться. [10]

Структуры молевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каннлом. [11]

Так, переходы Шотки имеют сравнительно малую толщину, что облегчает создание полевых транзисторов с очень коротким проводящим каналом. Формирование переходов Шотки происходит при относительно низкой температуре, а исключение высокотемпературных операций способствует повышению качества диэлектрического слоя, а также минимизации размеров транзисторной структуры. Кроме того, МДП-транзисторы с переходами Шотки под истоком и стоком могут быть изготовлены на полупроводниках, в которых не удается получить достаточно качественных р-л-пере-ходов. [12]

В тех случаях, когда вследствие сравнительно малой толщины запирающего слоя приходится пользоваться диодной теорией, нужна поправка на просачивание электронов через барьер путем туннельного эффекта. Однако учет силы зеркального отображения и туннельного эффекта еще не достаточен для вполне хорошего совпадения результатов теоретических расчетов с экспериментальными данными. Несколько лучшие результаты получаются при введении в теорию дальнейших поправок, учитывающих возможность флюктуации пространственного заряда в запирающем слое, а также неоднородность ( пятнистость) поверхности раздела между металлом и полупроводником, вызванную загрязнениями этой поверхности и выражающуюся в разной высоте потенциального барьера в различных точках. [13]

Большее значение соответствует конструкции, у которой будут сравнительно малая толщина основания бдН и сравнительно высокие ребра. [14]

Параллельная задвижка ЗОчб, оснащенная поршневым приводом. [15]

Страницы: 1 2 3 4