Cтраница 3
Применяемый в настоящее время для изготовления мощных приборов кремний, легированный традиционными методами при выращивании, имеет большой разброс удельного сопротивления. Разброс может достигать 15 % и более по торцу слитка и является одним из факторов, ухудшающих воспроизводимость некоторых статических и динамических электрических характеристик мощных приборов. Поэтому необходимо, чтобы однородность кремния, который применяется для тиристоров, выключаемых током управления, по удельному сопротивлению была как можно выше. По экспериментальным данным [85] хорошей однородностью обладает кремний, легированный трансмутационным методом: под действием облучения тепловыми нейтронами изотоп кремния 30Si превращается в 3ISi и затем в стабильный фосфор, равномерно распространенный по объему монокристалла. [31]
Из анализа приведенных данных видно, что численное значение критерия теплопередачи снижается в процессе контактного теплообмена, причем эта тенденция сильнее проявляется для начального периода взаимодействия ( tf10 сек. Как установлено специальными экспериментами, отмеченное можно объяснить деформацией торца слитка с образованием выпуклой поверхности торца, опирающейся на затравку в центральной ее зоне. [32]
![]() |
Схема измерений удельного сопротивления четырехзондовым методом.| Форма образцов при измерениях методом Ван-дер - Пауве. [33] |
Таким образом, при измерении удельного сопротивления по образующей величина lid всегда больше 0 06, а это значит, что краевой эффект определяется только величиной IIL. Этот вывод тем более справедлив при измерении р по торцу слитка, так как длина слитков всегда больше их диаметра. [34]
В зависимости от того, насколько сильно отклонена кристаллографическая плоскость от плоскости торца слитка, фигура, образованная отраженным лучом, будет отстоять ближе или дальше от центра экрана. На рис. 58 показана схема установки для ориентации слитков оптическим способом. Зеркала 7 и 10 укреплены на перемещающемся столе. На схеме он изображен в крайнем правом положении. [35]
Затем слиток торцом к пучку излучения устанавливают на предметном столике установки для рентгено-структурного анализа. В столике имеется регулируемая щель коллиматора, позволяющая выделить узкую полосу излучения в плоскости торца слитка. Пучок рентгеновских лучей направляют на слиток под углом, равным углу рассеяния 9 для искомой плоскости. [36]
Такое положение слитка находят, вращая его в вертикальной и горизонтальной плоскостях и наблюдая за максимальным отклонением стрелки прибора электромеханического счетчика. Найденное положение слитка, соответствующее максимальной интенсивности отраженных рентгеновских лучей, отсчитывают на проекторе гониометрического устройства ГУР-3 и фиксируют на торце слитка прочерчиванием рисок с пометкой стороны слитка, от которой следует отсчитывать определенные отклонения в градусах кристаллографической плоскости ( 111) от торца слитка. [37]
В работе [81] предложен оригинальный вариант двойного физического концентрирования, выполняемого в одном и том же трубчатом контейнере. Затем, как показано на рис. 46, поворотом кристаллизационной установки переводят концентрат в свободную часть контейнера и отгоняют большую часть основы на последний торец слитка. Отгонку проводят при непрерывном вращении контейнера, исключающем накопление примесей в поверхностном слое расплава. [38]
Такое положение слитка находят, вращая его в вертикальной и горизонтальной плоскостях и наблюдая за максимальным отклонением стрелки прибора электромеханического счетчика. Найденное положение слитка, соответствующее максимальной интенсивности отраженных рентгеновских лучей, отсчитывают на проекторе гониометрического устройства ГУР-3 и фиксируют на торце слитка прочерчиванием рисок с пометкой стороны слитка, от которой следует отсчитывать определенные отклонения в градусах кристаллографической плоскости ( 111) от торца слитка. [39]
При ориентировании слитков германия и кремния без приклейки наносят риски на торец слитка. Процесс ориентирования не отличается от описанного, но нет необходимости пользоваться сменными зажимными устройствами. Окончательной операцией процес-ца ориентирования является нанесение карандашом через паз базировочной детали на торце слитка стрелки, указывающей, в каком направлении надо повернуть слиток при ориентированной резке, чтобы получить искомое положение кристаллографической плоскости. Угол отклонения кристаллографической плоскости отсчитывают по шкале во время ориентирования. [40]
![]() |
Принципиальные схемы плавильного узла переплавных электронно-плазменных печей. а с горизонтальной подачей заготовки. [41] |
Схемы нагрева металлов в электронно-плазменных установках в определенной степени аналогичны схемам нагрева в электроннолучевых установках. На рис. 6.17 даны принципиальные схемы плавильного узла для рафинирования слитков чернового урана, полученного в установках плазменно-карботермического восстановления урана из оксидного сырья. Слиток движется в зону переплава горизонтально со вращением; горизонтально расположенный плазмотрон работает на торец слитка, вертикально расположенный - на боковую поверхность его торцевой части; для равномерности обработки слиток вращается. Металл сливается в кристаллизатор 3 и застывает, образуя новый слиток. Кристаллизатор может быть снабжен механизмом вытяжки слитка. [42]
Кремний и германий, предназначенные для производства полупроводниковых приборов, поступают на завод-изготовитель этих приборов в виде слитков диаметром 20 - 50 мм и длиной 70 - 140 мм. Кристаллы в слитке расположены по определенному закону так, что их кристаллографические оси ( плоскости) имеют одно направление. При ориентации определяют направление кристаллографических осей и отмечают отклонение плоскости торца слитка от требуемой кристаллографической плоскости. Ориентация слитка необходима для лучшего воспроизведения параметров приборов. [43]
Кремний и германий, предназначенные для производства полупроводниковых приборов, поступают на завод-изготовитель этих приборов в виде слитков диаметром 20 - 50 мм и длиной 70 - 140 мм. Кристаллы в слитке расположены по определенному закону, так, что их кристаллографические оси ( плоскости) имеют одно направление. При ориентации определяют направление кристаллографических осей и отмечают отклонение плоскости торца слитка от требуемой кристаллографической плоскости. Значительные отклонения могут привести к ухудшению параметров приборов. Ориентация слитка необходима для лучшего воспроизведения параметров. [44]
Слиток монокристаллического стержня торцом помещают на предметный столик и прижимают вверху винтом. Световая картинка, отраженная от торца слитка, попадает на матовый экран 9, занимая на нем произвольное положение. После этого световую фигуру выводят на вертикальную ось и совмещают с горизонтальной осью. По отклонению светового пятна от нулевого деления определяют угол отклонения кристаллографической плоскости от плоскости торца слитка. [45]