Точность - совмещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Закон Сигера: все, что в скобках, может быть проигнорировано. Законы Мерфи (еще...)

Точность - совмещение

Cтраница 2


16 Устройство для подвода элюента в камеру для кругового разделения на пластинку со слоем сорбента, обращенным вверх. [16]

После коррекции точности совмещения центра пластинки и фитиля пластинку в случае необходимости перемещают ( не приподнимая) относительно чашки Петри, чтобы добиться максимального контакта по всей окружности стенок. При этом фитиль с проволочным держателем перемещается вместе с пластинкой и их взаимное положение не меняется.  [17]

Качество сварки определяется точностью совмещения проволочного вывода с центром колпачка и прочностью их соединения. Смещение должно быть не более 0 15 мм.  [18]

19 Схема расположения. [19]

Метрические параметры фотошаблонов: точность совмещения в комплекте и величина допусков на размеры элементов контролируются на модулях, могущих характеризовать все рабочее поле фотошаблона, а именно в центре и на периферии.  [20]

В табл. 1 приведена точность совмещения штрихов, полученная при исследованиях.  [21]

Наиболее удобным для контроля точности совмещения слоев является способ с использованием шаблона, получаемого на сверлильном станке, на котором в последующем будет сверлиться пакет спрессованных слоев МПП. Такой шаблон представляет собой непрозрачную пластину с контрольными отверстиями, центры которых находятся в местах положения монтажных и переходных отверстий МПП.  [22]

Качество сведения лучей определяется точностью совмещения трех растров ( грех цветоделенных изображений) основных цветов по всему полю экрана.  [23]

24 Пример оформления чертежей многослойной печатной платы. [24]

В этом случае требования к точности совмещения слоев нежесткие. Возможно соединение большого числа слоев. К недостаткам метода относятся небольшая плотность монтажа и увеличение массы платы.  [25]

Качество соединений при ЭЛС зависит от точности совмещения луча со стыком.  [26]

Необходимость обеспечения точности рисунка изготавливаемых микросхем и точности совмещения отдельных слоев микросхемы предъявляет к фотошаблонам жесткие требования.  [27]

Еще одним важным параметром установок экспонирования является точность совмещения AR. Если точность совмещения-низка, то даже при высоком разрешении ввиду невозможности создания оптимальной топологии схемы не удается добиться высокой плотности интеграции. Желательно, чтобы точность-совмещения была меньше 1 / 5 минимальной ширины элемента ИС. Для повышения точности совмещения при проекционном экспонировании с уменьшением размеров на кристаллах предусматриваются знаки совмещения.  [28]

29 Эквивалентные кривые ВЭЗ типов А и Н. [29]

При определении пределов распространения принципа эквивалентности условливаются о точности совмещения кривых ВЭЗ.  [30]



Страницы:      1    2    3    4