Cтраница 2
![]() |
Устройство для подвода элюента в камеру для кругового разделения на пластинку со слоем сорбента, обращенным вверх. [16] |
После коррекции точности совмещения центра пластинки и фитиля пластинку в случае необходимости перемещают ( не приподнимая) относительно чашки Петри, чтобы добиться максимального контакта по всей окружности стенок. При этом фитиль с проволочным держателем перемещается вместе с пластинкой и их взаимное положение не меняется. [17]
Качество сварки определяется точностью совмещения проволочного вывода с центром колпачка и прочностью их соединения. Смещение должно быть не более 0 15 мм. [18]
![]() |
Схема расположения. [19] |
Метрические параметры фотошаблонов: точность совмещения в комплекте и величина допусков на размеры элементов контролируются на модулях, могущих характеризовать все рабочее поле фотошаблона, а именно в центре и на периферии. [20]
В табл. 1 приведена точность совмещения штрихов, полученная при исследованиях. [21]
Наиболее удобным для контроля точности совмещения слоев является способ с использованием шаблона, получаемого на сверлильном станке, на котором в последующем будет сверлиться пакет спрессованных слоев МПП. Такой шаблон представляет собой непрозрачную пластину с контрольными отверстиями, центры которых находятся в местах положения монтажных и переходных отверстий МПП. [22]
Качество сведения лучей определяется точностью совмещения трех растров ( грех цветоделенных изображений) основных цветов по всему полю экрана. [23]
![]() |
Пример оформления чертежей многослойной печатной платы. [24] |
В этом случае требования к точности совмещения слоев нежесткие. Возможно соединение большого числа слоев. К недостаткам метода относятся небольшая плотность монтажа и увеличение массы платы. [25]
Качество соединений при ЭЛС зависит от точности совмещения луча со стыком. [26]
Необходимость обеспечения точности рисунка изготавливаемых микросхем и точности совмещения отдельных слоев микросхемы предъявляет к фотошаблонам жесткие требования. [27]
Еще одним важным параметром установок экспонирования является точность совмещения AR. Если точность совмещения-низка, то даже при высоком разрешении ввиду невозможности создания оптимальной топологии схемы не удается добиться высокой плотности интеграции. Желательно, чтобы точность-совмещения была меньше 1 / 5 минимальной ширины элемента ИС. Для повышения точности совмещения при проекционном экспонировании с уменьшением размеров на кристаллах предусматриваются знаки совмещения. [28]
![]() |
Эквивалентные кривые ВЭЗ типов А и Н. [29] |
При определении пределов распространения принципа эквивалентности условливаются о точности совмещения кривых ВЭЗ. [30]