Полирующий травитель

Cтраница 2

Полировать пластины можно также химическим методом - химикодинамическим травлением, которое заключается в том, что пластины после шлифовки помещают во вращающийся барабан с полирующим травителем, где с пластин полностью стравливается разрушенный слой и значительно сглаживаются микронеровности поверхности. Однако этот метод не дает достаточной плоскостности и плоскопараллельности пластин. Поэтому в большинстве случаев используют механическую полировку, несмотря на то, что она более трудоемка. [16]

В процессе полирующего травления поверхности полу-прфодника протекают следующие стадии: сначала реакция окисления, затем реакция растворения образовавшегося оксида. Поэтому в состав полирующего травителя входят окислитель, растворитель и вещества, ускоряющие или замедляющие реакции окисления или растворения. [17]

Первая из указанных смесей используется как травитель для очистки и выявления р - n - переходов. Упоминавшийся в § 3 препарат СР-4 - хороший полирующий травитель и используется также для выявления структуры р - - переходов. IV, § 6 приведен рецепт травителя для выявления дислокационных ямок. Щелочной травитель с Н2О2 удобен для контролируемого удаления материала. [18]

Зависимости флуктуации температуры расплава ДГ, и газа над ним ДГг от диаметра отверстия D в теплоизолирующей крышке тигля. [19]

Морфологические особенности кристаллов твердых растворов НБС не позволяют плавно заузить затравочный кристалл и тем самым убрать внутренние и поверхностные дефекты затравки. Чтобы свести к минимуму дефектность, наследуемую растущим кристаллом от затравочного кристалла, последний выр езается из наиболее совершенной части кристаллической були. Поверхностные дефекты, возникшие при распиловке кристалла, снимаются путем травления затравки в полирующем травителе, в качестве которого используется концентрированная серная кислота при температуре кипения 300 С. Для снятия поврежденного слоя затравки толщиной 15 мкм достаточно держать затравочный кристалл в кислоте 30 мин. [20]

Лр / ф const, производная dz / dx должна быть постоянной. Другими словами, поверхность данной ориентации ( dz / dx const) существует в процессе травления, поскольку dx / dt - d ( p / dp const. Можно отметить одну, или, скорее, две особенности: если скорость травления одинакова во всех направлениях ( как в некоторых химически полирующих травителях), то как процесс образования ступенек, так и процесс их движения должны иметь низкие энергии активации, и весь процесс растворения должен контролироваться диффузией, обеспечивающей сглаживание неровностей поверхности. В общем случае, однако, скорость травления бывает больше в направлении одних кристаллографических плоскостей и меньше в направлении других, так что при травлении твердое тело приобретает некоторую стабильную форму, именуемую конечной формой растворения. Соответственно так называемому условию взаи-мообратности роста и растворения [4], если травлению подвергается какое-либо углубление, при этом будут появляться грани и ребра, отвечающие формам роста, и, наоборот, если подобное углубление зарастает, при этом развиваются грани и ребра, присущие формам растворения. [21]

Однако он существенно зависит от параметров, влияющих на диффузионные процессы в травителе, например от его вязкости и условий перемешивания. Используемые в таком процессе травители получили название полирующих. Они сглаживают поверхность полупроводника и придают ей зеркальный характер. Полирующие травители широко применяются для очистки поверхности полупроводников. [22]

В связи с тем, что задача, определения основного состава возникла только в самые последние годы, в литературе этому вопросу посвящено сравнительно мало работ. В основном они связаны с анализом монокристаллов. В этих пленках, толщина которых колебалась от единиц до десятков микрометров, необходимо знать как соотношение основных компонентов для всей пленки в целом, так и распределение этого соотношения по глубине с интервалом 2 - 5 мкм. Для снятия слоев или всей пленки использовали метод химического травления одним из известных полирующих травителей для арсенида галлия. [23]

Границы зерен представляют собой участки, где обычно скапливаются примеси, дислокации и деформации. Примеси и деформированные участки влияют на растворимость и, что еще важнее, на скорость растворения, благодаря чему травитель избирательно воздействует на межзеренные границы. Подобным же образом травление протекает интенсивнее на дислокациях, потому что дислокации окружены деформированными областями. Некоторые травители характеризуются тем, что их действие на вещество не зависит от присутствия примесей или деформаций. Они называются полирующими травителями. Ими пользуются для равномерного удаления поверхностных слоев перед исследованием свойств материала. Часто перед полирующим травлением приходится тщательно шлифовать или полировать поверхности с помощью набора все более тонких абразивов. В некоторых случаях полировка достигается одновременным травлением и механическим истиранием. Такой способ иногда называют химической шлифовкой. Если полирующее травление не дает достаточно гладкой поверхности, то иногда прибегают к химической шлифовке, используя травитель, который без механического истирания обычно действует на образец избирательно. [24]

Первым двум требованиям удовлетворяют полирующие травители, не выявляющие реальной структуры образца. Для этих травителей скорость процесса растворения определяется кинетикой подвода реагентов, их диффузией к поверхности твердого тела и не зависит от ориентации кристалла и других его физических свойств. Здесь важно соотношение между скоростью реакции взаимодействия компонентов травителя с твердым телом и скоростью диффузии. Если скорость диффузии мала по сравнению со скоростью самой реакции, именно она определяет скорость растворения. Для арсени-да галлия среди полирующих травителей удобными для последующего спектрального анализа являются растворы очень небольших концентраций брома в метиловом спирте, для кремния и германия - смеси плавиковой и азотной кислот в области малых концентраций HF. [25]

Страницы: 1 2