Травление - кристалл
Cтраница 1
Травление кристаллов ] 3 - SiC проводили в расплаве КОН: KNOs - - 4: 1 при температуре 600 в течение 1 мин. [1]
Оптимальные температуры травления кристаллов в расплаве смеси компонентов Л и С определяются эмпирически. Кристалл, предназначенный для травления, закрепляется на штоке, режим травления подбирается пробными погружениями нижней части кристалла в расплав. В случае переохлаждения расплава начинается нарастание на кристалл твердой фазы, в случае перегрева расплава кристалл подплавляется: оптимальной является область температур расплава, при которых кристалл не оплавляется и не обрастает твердой фазой. В этом случае протравленная поверхность кристалла оказывается свободной от видимых невооруженным глазом остатков расплава и не требует специальной очистки. [2]
Размеры ямок травления кристаллов C3S l 5 % MgO составляют 0 05 - 0 06 мкм. Совместное внедрение ионов Mg2 и А13 сохраняет влияние каждого иона на общую дислокационную картину. Внедрение примесных ионов Na, Ti4, A13, Mg2 в кристаллическую решетку минерала вызывает увеличение концентрации дислокаций, причем в зависимости от типа добавки их максимальная плотность достигает 3 0 - 1013 [ 2 5 % ( мол. [3]
Оптимальные температуры травления кристаллов в расплаве смеси компонентов А и С определяются эмпирически. Кристалл, предназначенный для травления, закрепляется на штоке, режим травления подбирается пробными погружениями нижней части кристалла в расплав. В случае переохлаждения расплава начинается нарастание на кристалл твердой фазы, в случае перегрева расплава кристалл подплавляется: оптимальной является область температур расплава, при которых кристалл не оплавляется и не обрастает твердой фазой. В этом случае протравленная поверхность кристалла оказывается свободной от видимых невооруженным глазом остатков расплава и не требует специальной очистки. [4]
Известно несколько способов травления кристаллов ИАГ: в смеси газов SF4 и SFe, химическая полировка и травление кристаллов в смеси серной и ортофосфорной кислот при температуре 473 - 573 К. Последний процесс характеризуется выделением вредных паров кислот. Кроме того, во избежание обезвоживания ортофосфорной кислоты и ее перехода в пирофосфорную травление проводят в присутствии паров воды, что усложняет технологический процесс. [5]
Известно несколько способов травления кристаллов ИАГ в смеси газов SF4 и SFe, химическая полировка и травление кри сталлов в смеси серной и ортофосфорной кислот при температура 473 - 573 К. Последний процесс характеризуется выделением вред-ных паров кислот. Кроме того, во избежание обезвоживания ортофосфорной кислоты и ее перехода в пирофосфорную травление проводят в присутствии паров воды, что усложняет технологический процесс. [6]
В литературе данные по травлению кристаллов P-SiC отсутствуют, если не считать упоминания [8] о том, что p - SiC хорошо травится в расплавленных солях и щелочах, а также сообщения [16] о травлении P-SiC газообразным фтором при температуре около 300 С. Для травления a - SiC обычно используются такие кислородсодержащие соли или щелочи, как NaOH, Na2O2, бура, Na2CO3, К2СО3 и др. [5, 8, 12-14, 22], причем указывается [ 81, что с заметной скоростью ( приблизительно 0 1 - 0 5 мг / см2 мин) травление в этих реагентах происходит при температурах порядка 900 - 1000 С, за исключением Na2O, которую можно использовать при температуре 350 - 500 С. [7]
В литературе данные по травлению кристаллов P-SiC отсутствуют, если не считать упоминания [8] о том, что P-SiC хорошо травится в расплавленных солях и щелочах, а также сообщения [16] о травлении P-SiC газообразным фтором при температуре около 300 С. Для травления a - SiC обычно используются такие кислородсодержащие соли или щелочи, как NaOH, Na2O2, бура, Na2CO3, К2СО3 и др. [5, 8, 12-14, 22], причем указывается [8], что с заметной скоростью ( приблизительно 0 1 - 0 5 мг / см2 мин) травление в этих реагентах происходит при температурах порядка 900 - 1000 С, за исключением Na2O9, которую можно использовать при температуре 350 - 500 С. [8]
Большие трудности встречаются при травлении кристаллов карбида кремния SiC. Это обусловлено высокой химической стойкостью данного полупроводника и значительной полярностью ковалентных связей за счет высокой электроотрицательности углерода. В растворах минеральных компонентов травления SiC даже при высоких температурах Fie наблюдается. [9]
Реактив рекомендуется для химической полировки и травления кристаллов кадмий-сурьма, цинк-сурьма и кадмий-цинк-сурьма. [10]
Реактив рекомендуется для химической полировки и травления кристаллов кадмий - сурьма, цинк - сурьма и кадмий - цинк - сурьма. [11]
Некоторые авторы [1, 2] исследовали анизотропию скорости травления кристаллов, растворяя в кислотах металлические сферические кристаллы и вырезанные с учетом определенной ориентации цилиндры. Для определения анизотропии скорости растворения кристаллов нами был использован тот же принцип растворения цилиндрических поверхностей, но с изменением, дающим ряд крупных преимуществ. [12]
Для количественного термодинамического описания процессов роста и травления кристаллов необходимо знать также входные относительные концентрации, в данном случае Yin и Ув е, которые определяются как атомные отношения олова к хлору на входе в реакционную зону. [13]
Приведенные данные свидетельствуют о том, что травление кристаллов ИАГ в процессе их роста происходит именно над зеркалом расплава. [14]
 |
Устройство транзисторов. [15] |
Страницы: 1 2 3