Травление - кристалл
Cтраница 2
Чтобы получить малую площадь коллекторного р-л-перехода, производится травление кристалла. Столообразная структура ( рис. 2.18, а) получается после травления. [16]
Обращает на себя внимание повышенная поверхностная плотность ямок травления кристаллов с небольшими добавками КС1 и КВг в твердом растворе. Максимумы кривой примерно отвечают составам с минимальными концентрациями / - - центров и максимальными значениями электропроводности. Связь электропроводности с дислокациями может быть объяснена следующим образом. Зейтцем [14] высказаны интересные соображения об образовании вакантных мест из дислокаций. Существенную роль в этом процессе играют уступы на линиях дислокаций. В месте уступа в кристаллической решетке образуется потенциальная яма, равносильная наличию в этом месте некоторого эффективного заряда. Зейтц рассматривает это место как зарождающуюся вакансию благодаря тому, что ближайший ион захватывается уступом и включается в ряд ионов, образующих особенную плоскость дислокаций. Образовавшаяся вакансия может продиффундировать в глубь кристалла. При нагревании кристалла, необходимом для снятия температурной зависимости электропроводности, дислокации начинают перемещаться, встречая на своем пути препятствия. Это обусловливается появлением уступов на линиях дислокаций, а следовательно, некоторого дополнительного числа вакансий, увеличивающих ионную проводимость кристалла. [17]
Известно несколько способов травления кристаллов ИАГ: в смеси газов SF4 и SFe, химическая полировка и травление кристаллов в смеси серной и ортофосфорной кислот при температуре 473 - 573 К. Последний процесс характеризуется выделением вредных паров кислот. Кроме того, во избежание обезвоживания ортофосфорной кислоты и ее перехода в пирофосфорную травление проводят в присутствии паров воды, что усложняет технологический процесс. [18]
С учетом указанных представлений можно понять также и характер общей зависимости, отраженной на рис. 3.2. Реакция (3.2) при разных условиях может приводить как к росту, так и травлению кристалла. При повышении концентрации GeCl4 равновесие этой реакции смещается вправо, приводя к интенсификации травления. Наоборот, повышение концентрации [ GeCl2 ] способствует увеличению скорости роста. [19]
Реактивы, состоящие из 50 мл Н2О2 и 50 мл HF, а также из 16 г / л азотной меди или серебра, 100 мл HF, 50 мл HNO3 и 100 мл Н2О, выявляют фигуры травления кристаллов германия. Далее структуру германия ( границы зерен и фигуры травления) выявляют после обработки в течение 4 ч угольной кислотой при температуре около 850 С с быстрым охлаждением. При травлении в СО2 большей частью происходит превращение германия из п - в р-состояние. [20]
Иллерсом и Хендусом [113], которые использовали как полученные ими, так и литературные значения температур плавления кристаллов полиэтилена различной толщины, измеренные в условиях отсутствия структурных перестроек, т.е. при быстром нагревании, сшивании аморфных областей и травлении кристаллов. Данные этих авторов в виде зависимости температуры плавления от величины, обратной толщине ламели, представлены на рис. 8.10. Экспериментальные точки очень хорошо ложатся на прямую, экстраполяция которой приводит к Т п 414 К, т.е. к эспериментально определенному значению температуры плавления кристаллов из вытянутых цепей высокомолекулярного полиэтилена. [21]
 |
Влияние скорости испарения на пленок селенида кадмия при. [22] |
Атомно гладкие полированн ые поверхности подложек способствуют росту монокристальных пленок CdSe независимо от того, отжигали или не отжигали кристалл после полировки. Травление кристаллов NaCl сопровождается развитием в растущих на них пленках CdSe сильного рельефа поверхности. [23]
 |
Винтовая дислокация в кристалле карборунда. [24] |
Кристалл, растущий в растворе, может быть особенно склонен к образованию полых дислокаций, вероятно, вследствие относительно низкого межфазного натяжения между твердым телом и жидкостью. При травлении кристаллов вещество удаляется преимущественно из центров дислокаций, что приводит к образованию ямок травления. [25]
С [3]) - относительно легкоплавкое и хорошо растворимое в воде соединение. Однако при травлении кристаллов J3 - S1C в KNOa при температуре вплоть до 600 С никаких изменений с кристаллом не происходит, никаких фигур травления не появляется. При более высокой температуре ( 650 - 700 С) KNO3 разлагается. Грани 1111 и 111 становятся матовыми, ребра округляются. [26]
С [3]) - относительно легкоплавкое и хорошо растворимое в воде соединение. Однако при травлении кристаллов P - S1C в KNO3 при температуре вплоть до 600 С никаких изменений с кристаллом не происходит, никаких фигур травления не появляется. При более высокой температуре ( 650 - 700 С) КМО3 разлагается. Грани 111 и 111 становятся матовыми, ребра округляются. Для выявления структурных дефектов этот травитель не годится. [27]
Химическое травление или полировку проводят в специальном фторопластовом сосуде, наклоненном под определенным углом относительно вертикальной оси и вращающемся со скоростью 0 - 100 обIмин с целью перемешивания состава. В противном случае могут произойти локальные перегревы ( травление происходит с выделением большого количества тепла), приводящие к неравномерному травлению кристалла. [28]
Между кристаллом и окружающей его средой всегда существует переходный слой, который образует физическую границу раздела и служит посредником при взаимодействии фаз. Именно в этом слое происходят физические и химические микропроцессы, которые и определяют кинетику роста, растворения, испарения и травления кристаллов. Соответствующие элементарные акты определяются силами атомных взаимодействий как в питающей среде, так и на поверхности кристалла. Обычно принимают, что учет взаимодействий только ближайших соседей достаточен для описания процессов. [29]
Известен способ обработки кристаллов травлением в расплавах: PbO, B2O3, PbF2, BaO, BaF2, Fe2O3, V2O5 и Li2C03 при температурах 1373 - 1473 К. Указанному способу присущ ряд недостатков. Травление кристаллов проводится в тех же условиях, в которых выращиваются кристаллы методом из раствора в расплаве, что приводит наряду с процессом травления к некоторому перераспределению и перекристаллизации вещества на поверхности кристалла и соответственно к искажению результатов. Кроме того, в названных условиях поверхность обрабатываемого кристалла загрязняется компонентами растворителя за счет ионного обмена между кристаллом и расплавом. При извлечении из тра-вителя на обрабатываемую поверхность кристалла налипает расплав, что особенно проявляется при использовании барийсодержа-щих расплавов. При остывании на поверхности кристалла появляются сколы и микротрещины в местах контакта с застывшими каплями расплава, обусловленные различным тепловым расширением растворителя и кристалла. Остатки растворителя удаляются с помощью дополнительной технологической операции - кипячения в разбавленных кислотах. [30]
Страницы: 1 2 3