Травление - материал
Cтраница 1
Травление материалов можно разделить на рельефное - для изготовления различных деталей и их элементов, селективное - для структурных исследований материалов и полирующее - для химического и электрохимического полирования поверхностей деталей. [1]
При травлении материала подложки может происходит параллельный процесс его осаждения на защитную маску фоторезиста. Этот фактор также в широких пределах может изменять скорость распыления защитной маски. [2]
При травлении материала маски, находящейся под рабочим слоем, последний удаляется с подложки, за исключением мест, где он осажден непосредственно на подложку. За счет этого получается резкий край рисунка. Однако технологический процесс фотолитографии несколько усложняется. [3]
Очень важное значение для реализации равномерного травления материала по поверхности имеет однородность потока ионов, бомбардирующих подложки, что определяется конструктивными особенностями установок. [4]
Путфрей [81 ] изучил по литературным данным и собственным исследованиям особенности различных электролитов при травлении материалов на основе железа: различные типы карбидов можно выявить электрически в сплавах от чугуна вплоть до высоколегированных сталей. [5]
Состав ионного пучка при условии преобладающего химического воздействия оказывает решающее влияние на селективность и скорость травления материалов. Скорость процесса зависит от плотности ионного тока, давления и расхода активного газа, угла падения и других факторов и ограничивается выделяемой на подложке мощностью. С) стойкость органических масок значительно снижается. [6]
В технологии полупроводников наблюдается тенденция к использованию газовой плазмы тлеющего разряда вместо жидких растворов при травлении материалов под фоторезистами. Большинство органических соединений недостаточно устойчиво в этих жестких условиях, и создание нескольких пригодных для такой обработки фоторезистов потребовало значительных усилий. Конструировать материалы с необходимой комбинацией физических и химических свойств - задача трудная. [7]
ПАВ вызывают сильное ценообразование, особенно при использовании циркуляции жидкости, барбатировании и использовании растворов, вызывающий травление материала обрабатываемых изделий. Интенсивное пенообразование затрудняет процесс обработки вследствие выкипания раствора из ванны и перебоя в работе насосов. Уменьшение же содержания ПАВ в растворе приводит к ухудшению качества обработки. [8]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала по крытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [9]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить ч постепенным и полным отказам микросхем. [10]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [11]
Травление железоуглеродистых сплавов применяется для очистки поверхности металла от окислов ( окалины и ржавчины), полученных при горячей обработке, при прокатке, ковке, штамповке или при хранении металла на открытом воздухе. Различают: травление материала и заготовок перед штамповкой; травление полуфабрикатов и деталей перед шлифованием; травление деталей непосредственно перед гальваническими покрытиями, когда производятся матовые и полублестящие покрытия. [12]
Изучение структуры границы и переходной зоны между покрытием и основным металлом связано с определенными трудностями. Во-первых, необходимо применять раздельное травление материалов покрытия и основного металла, что затрудняет получение качественного объекта исследования. Во-вторых, если при напылении образуется переходная зона, то размеры ее обычно невелики, и вследствие этого сложно получить достоверную информацию о структуре приграничных участков. [13]
С и опорного напряжения моп и определяются отношением сопротивлений резисторов R2 / Ri и стабильностью вольт-секундной площади. Путем применения интегральной технологии или травления фольгироваиного ремстивного материала получают высокую точность и стабильность отношения R2 / Ri-В качестве формирователя стабильной вольт-секундной площади могут использоваться, например, два триггера, нагрузкой которых являются первичные обмотки импульсных трансформаторов с сердечниками, имеющими прямоугольную петлю гистерезиса. Питание триггеров осуществляется от высокостабильного источника. Формирователь вольт-секундной площади для повышения стабильности помещают в термостат. [14]
 |
Характеристики установки магне-тронного реактивно-ионного травления. [15] |
Страницы: 1 2