Травление - материал
Cтраница 2
Механизм травления в плазме методом реактивного ионного травления сложен и зависит от материала и структуры слоев. Виды газов, которые используются для травления типичных материалов, применяемых в технологии изготовления БИС, представлены в табл. 4.12. В электрическом разряде молекулы газа разлагаются, образуются молекулы, ионы и радикалы, а в случае добавления примесей образуются дополнительные виды молекул, атомов и ионов. Эти частицы исследуются методом масс-спектрометрии. При соударении частиц с лицевой поверхностью образца может происходить адсорбция, разложение, реакция, десорбция, а при бомбардировке ускоренными ионами - распыление. Эффективность этих процессов различна в зависимости от угла падения частиц. Распыленные вещества могут также вновь сорбироваться на другом участке. Образованные в результате реакций вещества создают большие молекулы, которые также могут сорбироваться на другом участке. Следовательно, в каждом отдельном случае необходимо изучать механизм и разрабатывать технологию формирования определенного рисунка. [16]
Во-вторых, открытые капиллярные колонки классифицируют по наличию пористого слоя сорбента. В открытых с пористыми ( шероховатыми) стенками ( ОПС) капиллярных колонках внутренняя иоверх-ность капилляра увеличена, например, путем травления материала колонки или нанесения на стенки слоя сорбента или твердого носителя. В открытых с непористыми стенками колонках ( ОНС) внутренняя поверхность не развита. [17]
С увеличением продолжительности пребывания в растворе треки удлиняются и расширяются в линейном направлении до тех пор, пока не будет достигнута некоторая максимальная длина. Они имеют коническую форму с углом конусности 9С, который зависит от соотношения R, равного отношению скорости травления трека W к скорости травления VG неповрежденной поверхности. При большей выдержке травление проходит с меньшей скоростью, равной скорости травления неповрежденного материала. Если соотношение R по-значению приближается к единице, треки будут иметь вид мелких углублений. [18]
 |
Зависимость клина травления от вязкости паст Б. - 38 5 %. Б2 - 28 5 %. Б3 - 18 5 % гуммиарабика ( гидрофторид - по 20 %. [19] |
В связи с этим для проведения травления необходимо строго контролировать вязкость пасты, температуру. Известно, что травление полупроводников может быть инициировано УФ светом. Однако в данном случае речь идет о другом процессе: при травлении материалов используют защитные материалы, содержащие фотолитически неустойчивые соединения, продукты фотолиза которых взаимодействуют с материалом подложки. [20]
Страницы: 1 2