Травление - пластина
Cтраница 1
Травление пластин и кристаллов производится для очистки их поверхностей и боковых граней от примесей и окислов путем снятия тонкого слоя материала. [1]
Травление пластин и кристаллов производят для очистки их поверхностей и боковых граней от примесей и окислов путем снятия тонкого слоя материала. [2]
По окончании травления пластины промывают, асфальт и нитролак удаляют соответствующими растворителями, и форма готова для гальванопластического воспроизведения. [3]
В случае травления пластин и кристаллов с локальной защитой поверхности воском, пицеином, химически стойким лаком или другим составом, устойчивым к действию травильной смеси, необходимо особенно внимательно следить за температурой травителя, так как при длительном травлении в одном стакане возрастает температура травителя, и защитное покрытие сползает с материала. Поэтому при такой обработке применяют последовательное травление в двух-трех травителях. После каждого этапа травления пластины или кристаллы промывают. Время травления сохраняется прежним. [4]
Микрошероховатость образуется травлением пластин в концентрированной серной кислоте ( уд. Далее производится промывка в воде, подогретой до 30 - 40 С и сушка. [5]
 |
Дефекты кремния типа птичий след. [6] |
Иногда при травлении пластины кремния дефект типа птичий след выявляется только с одной стороны пластины, а иногда - с обеих. Природа таких дефектов не выяснена, но по всей видимости, так как вблизи этих дефектов растет скорость травления полупроводника, их наличие связано с механическими напряжениями в кремнии. [7]
 |
Схема установки для определения пористости SiO2 методом хлорного травления. [8] |
Для определения пористости методом хлорного травления пластины кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равномерно покрывал обе поверхности. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а затем исследуют на металлографическом микроскопе. [9]
 |
Схема установки для определения пористости SiO2 методом хлорного травления. [10] |
Для определения пористости методом хлорного травления пластины кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равномерно покрывал обе повер хности. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а затем исследуют на металлографическом микроскопе. [11]
Одним из часто используемых методов получения тонкой базовой области является травление германиевых пластин перед вплавлением эмиттерной и коллекторной капель. Основная трудность этого метода заключается в сложности и недостаточной надежности контроля скорости травления. [12]
 |
Зависимость напряжения помехи от чистоты обработки поверхности пластин конденсатора. [13] |
При разработке высококачественного модулятора особое внимание необходимо обращать на совершенство технологического процесса изготовления деталей конденсатора, особенно на очистку этих деталей и деталей корпуса, в котором размещается конденсатор, с применением ультразвука и травления пластин. Обработка пластин конденсатора должна обеспечивать высокий класс чистоты поверхности. Уменьшению величины напряжения помехи способствует применение покрытий, в частности золотом. [14]
Для всесторонней проверки релаксации напряжений при уч е-превращении в железомарганцевом сплаве Г20С2, в зависимости от температуры нагрева, величины заданного напряжения и исходной обработки, авторами работы [24] были применены следующие методы: измерение остаточной деформации предварительно напряженного бруса равного сопротивления ( кольцо Одинга); определение напряжений путем послойного травления пластин закаленных от разных температур; измерение остаточной деформации пластин, вваренных в жесткий контур и подвергнутых высокотемпературному нагреву; тензометрирование сварного соединения после его разрезки на элементы. [15]
Страницы: 1 2