Cтраница 2
Травление производят путем выдержки пластин в неразбавленной соляной кислоте, в ванне из кислотостойких материалов. После травления пластины промывают в ванне с проточной водой. Затем просушивают и подают на контроль. Загрузку пластин в ванну и их выгрузку производят вручную. [16]
Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0 1 мкм. [17]
Характерны широкие пределы содержания диазида III в слое - от 1 до 50 % к массе полимера. При этом возможно глубинное травление пластин, например, анодированного алюминия с разрешением до 300 лин / см [ пат. [18]
Температуру травления желательно поддерживать постоянной. При этом следует обеспечивать равномерное перемешивание рас - твора травителя. По окончании травления пластины кремния необходимо предохранять от взаимодействия с воздухом. Для этого травитель, в котором находятся пластины, заливают деионизо-ванной водой. [19]
В случае травления пластин и кристаллов с локальной защитой поверхности воском, пицеином, химически стойким лаком или другим составом, устойчивым к действию травильной смеси, необходимо особенно внимательно следить за температурой травителя, так как при длительном травлении в одном стакане возрастает температура травителя, и защитное покрытие сползает с материала. Поэтому при такой обработке применяют последовательное травление в двух-трех травителях. После каждого этапа травления пластины или кристаллы промывают. Время травления сохраняется прежним. [20]
Нагрев образца до заданной температуры проводился в атмосфере водорода за 8 - 12 мин. Время остывания до 150 - 200 С равнялось 5 - 10 мин. Цикл травления длился от 30 до 150 мин. После травления пластины в течение 5 мин подвергались испарению в потоке чистого водорода. Пластины взвешивались до и после цикла испарения в газовых потоках. [21]
Чем больше диаметр пластин, тем больше их толщина, необходимая для обеспечения механической прочности. Поскольку СБИС выполняются на пластинах большого диаметра, то процент бракованных СБИС при механическом екрайбировании и раскалывании особенно велик. Для СБИС более пригодны немеханические способы разделения. Другим способом является сквозное анизотропное травление пластин. Немеханические методы обеспечивают значительно меньший брак и лучше поддаются автоматизации. [22]
Литография, Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятс. При этом поверх SiOj на пластину наносят фоторезист, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной маски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непрозрачных областей. Через маску фоторезист подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезист не проявляется. Таким образом на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя SiO2 фоторезист не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится диффузия. [23]
Вряд ли в настоящее время представляется возможным назвать единую универсальную технологическую цепочку получения будущих ИС. Тем более неправомочно указывать только одну-единую систему воспроизведения изображения, так как развитие техники открывает постоянно новые возможности в этой области. Вполне естественно, что развитие технологии обусловливается появлением новых типов интегральных и функциональных схем, для получения которых могут быть применены совершенно различные процессы. Однако основные тенденции в развитии микроэлектроники предопределяют дальнейшее развитие описанных выше систем воспроизведения изображений и прежде всего технологических процессов без применения фотошаблонов. При электронно-лучевой обработке меняется скорость травления обработанных участков подложки, что открывает возможность проводить селективное травление, не прибегая к применению защитных масок. Возможно также программированное травление пластин с применением сфокусированных ионных пучков либо локальное легиоование подложек. [24]
Отдельные шайбы или пластины из электролитической меди перед термической обработкой тщательно промывают в 5 % - ном растворе едкого натра или травят в 30 % - ном растворе азотной кислоты, промывают в воде и сушат. Затем пластины собирают в кассеты и помещают в печь при температуре до 1 030 С. Время пребывания пластин в печи зависит от их размеров и составляет от 12 до 20 мин. Толщина слоя закиси меди при этом составляет около 0 2 мм. При увеличении времени выдержки слой закиси меди увеличится, что может привести к уменьшению прямого тока. После этого кассета с пластинами должна быть помещена в новую печь с температурой около 600 С, время выдержки кассеты в этой печи составляет около 8 - 16 мин. Для удаления образовавшейся верх слоя CU2O окиси меди применяют в течение 4 - 6 мин травление пластин в 30 % - ном растворе азотной кислоты, промывку и нейтрализацию остатков раствора или обработку каустиком. Так как с краев пластин при резком охлаждении может отскочить слой окислов меди, обычно края пластин после термообработки изолируют лаковой пленкой или оклейкой тканью. [25]