Локальное травление

Cтраница 1

Локальное травление применяют для удаления металла в отдельных участках поверхности, предусмотренных пробельными местами защитной маски, предварительно наносимой на поверхность. Маска должна быть стойкой к травильным растворам и к процессу газовыделения при травлении ( см. гл. [1]

Использование эпитаксиального наращивания и локального травления для получения р-п-р-п структур позволяет более гибко решать задачи создания тиристоров с необходимыми параметрами эмиттерных и базовых областей. Применение эпитаксиальных пленок позволяет получать число чередующихся слоев р - и ге-ти-па больше четырех и тем самым дает возможность выполнять функциональные элементы с использованием р-п-р-п прибора на одной подложке. [2]

Поскольку операции маскирования и локального травления определяют расстояние между истоком и стоком или длину / канала МДП-транзистора, их проведение требует высокой точности. [3]

За литографией обычно следует процесс локального травления. В предыдущих процессах для очистки лицевой поверхности использовалось химическое травление в растворах, которое широко применяется и в настоящее время. Однако, ввиду того что от состояния и точности рисунка, сформированного в фоторезисте в результате проявления, в значительной мере зависит выход годных и характеристики ИС, при наличии в топологии элементов с размером менее 5 мкм водные растворы для травления уже не применяются. Основным методом становится так называемое сухое травление, которое продолжает в настоящее время исследоваться и развиваться с целью применения в субмикронной технологии. [4]

Наносят слой нелегированного поликремния 4, проводят его локальное травление и легирование бором. Ионным легированием бором формируют активные базовые области / переключательных транзисторов, расположенные на уровне поликремниевых электродов. В результате образуются контакты с боковой поверхностью базы. Ионным легированием мышьяком создают коллекторные области 2п - типа. [5]

Схема установки.| Зависимость величины переходного слоя от способа отработки подложки. [6]

Технология изготовления сложных эпитаксиальных структур включает в себя контролируемое локальное травление подложек через отверстия в защитной маске и последующее заполнение углублений эпитак-сиальным слоем. [7]

ЭНИМС), предназначенный для снятия заусенцев на металлических деталях методом электрохимического локального травления с применением водных растворов нейтральных солей. [8]

Зависимость разности скоростей подтравливашш и горизонтального травления от концентрации хлористого водорода при 1200 С. 1 - гипотетическая кривая из сопоставления кривой е с 1 - 5 ( 2. j. [9]

Таким образом, для уменьшения подтравливания под маску из окиси кремния необходимо проводить полирующее локальное травление кремния при высоких концентрациях хлористого водорода в водороде. [10]

Декаль-метод, удобный для бескорпусных ИМС, заключается в прикреплении готовой полупроводниковой структуры к диэлектрической пластине-подложке с последующим локальным травлением и окислением поверхности меза-структур. Данным методом создается полная диэлектрическая изоляция элементов и обеспечиваются их высокие параметры. [11]

В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( SiO2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [12]

В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( S1O2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [13]

К недостаткам метода следует отнести прежде всего необходимость применения большого давления для получения первичного отпечатка, возможность появления на оксидном отпечатке характерной для алюминия кубической структуры, появляющейся в результате локального травления алюминия в процессе оксидирования фольги. [14]

Травление представляет собой процесс удаления части материала путем химического или электрохимического растворения. Различают изотропное и локальное травление, которое в свою очередь может быть селективным и неселективным. [15]

Страницы: 1 2