Локальное травление

Cтраница 2

В процессе исследования получено, что форма углублений в результате травления зависит от температуры и концентрации хлористого водорода и определяется двумя одновременно протекающими процессами: между подложкой кремния, свободной от окисной маски, и смесью Н2 - НС1 и между подложкой и пленкой окиси кремния в присутствии водорода. Предложен механизм локального травления кремниевых подложек, маскированных окисной пленкой и на основании этого объясняются возможные формы углублений. Найдено количественное соотношение нормальной и тангенциальной скоростей травления углублений. [16]

Ионное травление практически не обладает избирательностью. Поэтому несмотря на максимальную анизотропию использовать его для локального травления затруднительно. Ионное травление применяется в основном для очистки поверхности от загрязнений. Плазмохимическое травление производится при давлении порядка 500 Па в плазме высокочастотного газового разряда. На поверхность пластин попадают ионы с малыми энергиями ( 100 эВ) и нейтральные химически активные атомы и молекулы. [17]

Кривая зависимости плот - его микровпадинах поверхности ность тока - напряжение при - г -. [18]

С термодинамической точки зрения следует считать более вероятным преимущественный переход ионов металла в раствор с выступов, так как на этих участках работа выхода иона из твердой фазы в жидкую, меньше, чем в углублениях. На практике чаще встречаются случаи, когда анодное растворение ухудшает микрогеометрию поверхности металла за счет неравномерного локального травления. [19]

Травление представляет собой удаление поверхностного слоя не механическим, чаще всего химическим, путем. Его применяют для получения максимально ровной бездефектной поверхности пластин, не достижимой механическими способами обработки, удаления SiO2 и других слоев с поверхности. Локальное травление используется для получения необходимого рельефа поверхности, формирования рисунка тонкопленочных слоев, а также масок. [20]

В основе жидкостного травления лежит химическая реакция жидкого травителя и твердого тела, в результате которой образуется растворимое соединение. Подбором химического состава, концентрации и температуры травителя обеспечивают заданную скорость травления ( порядка 0 1 мкм / мин) и толщину удаляемого слоя. Локальное травление осуществляют через маску. [21]

При выявлении фигур травления необходимо быть уверенным в том, что травление сопровождается неравномерным съемом материала. Для этого полированные образцы выдерживают перед травлением в течение длительного времени. Образующийся при этом пассивирующий слой позволяет проводить локальное травление. [22]

Диэлектрическая изоляция интегральных элементов иногда создается с помощью стекла, ситалла или керамики. При этом в технологическом процессе используется вспомогательная пластинка. На монокристаллической подложке га - типа эпитаксиаль-но-диффузионным способом формируют элементы микросхемы, которые методом локального травления разделяются на меза-области. К поверхности последних приклеивают вспомогательную пластинку, а л - подложку ошлифовывают до получения раздельных элементов. В полученной структуре промежутки между компонентами заполняют диэлектриком. После этого вспомогательную пластинку удаляют. [23]

Гистограммы распределения прочности углеродных волокон.| Изменение средней прочности углеродных волокон, вытравленных из композиции магний-углерод, после различных термических обработок. [24]

Подводя итоги вышесказанному, следует еще раз отметить, что углеродное волокно довольно интенсивно разупрочняется при нагреве в контакте с металлами. Это разупрочнение проявляется раньше, чем становятся заметными какие-либо изменения в структуре композиционного материала или волокна. В контакте с металлами, растворяющими углерод без образования химических соединений ( никель, кобальт), процесс разупрочнения при невысоких температурах осуществляется в результате растворения волокон, а при повышенных температурах - за счет рекристаллизации. В контакте с металлами, растворяющими углерод с образованием химических соединений ( алюминий, магний), процесс разупрочнения осуществляется вследствие глубокого локального травления волокна. [25]

Страницы: 1 2