Избирательное травление

Cтраница 1

Избирательное травление позволяет увеличить площадь и получить более развитый рельеф по сравнению с опескоструенной поверхностью. У избирательно протравленного образца площадь по сравнению с исходным увеличена в 20 раз, а по сравнению с опескоструенным в 2 6 раза. На избирательно протравленном металле видны отдельные блоки, тогда как опескоструенные зерна / хаотически деформированы. Такое различие в структуре металла обусловливает разное энергетическое состояние его поверхности. Установлено, что избирательное травление сильно изменяет параметры термостимулированной эмиссии. [1]

Избирательное травление [94, 98] позволяет четко выявить оба процесса. На самом деле лишь наследование текстуры прокатки, которое сопровождается образованием и ростом субзерен, тормозит развитие рекристаллизации. Когда растущее субзерно встречает большеугловую границу, существовавшую до начала возврата ( см. подраздел 6.1.), его рост прекращается и начинается первичная рекристаллизация. [2]

Избирательное травление полиимидных пленок гидразином открывает новые возможности [11] для изготовления многослойных печатных схем, предназначенных для применения в качестве промежуточных слоев в полупроводниковых комбинированных схемах. Большое число мельчайших отверстий, например 100 на - 6 5 см2, протравливается в диэлектрической пленке таким образом, чтобы шипы укладываемых схем могли войти в них при положениях, определяемых выбранным расположением проводящих элементов. Механическое изготовление отверстий требует дорогого инструмента и затруднительно, если размер отверстий и расстояние между ними малы. Более удобно и экономично изготавливать эти отверстия травлением; детально этот процесс будет описан позже. [3]

Избирательное травление различных плоскостей корунда и рубина производится следующим образом. Химическая полировка производится бурой при температуре не ниже 1000 С, при этом полируются все плоскости. [4]

Методом избирательного травления в отдельных сортах кварца были обнаружены [430] концентрирующиеся вдоль дислокаций в кристаллах кварца примеси магния, кальция, алюминия, калия, что делает непригодными эти сорта кварца при изготовлении аппаратуры для очистки полупроводниковых веществ. [5]

Метод избирательного травления основан на локальном удалении с поверхности образца атомов или ионов. В местах выхода дислокаций появляются небольшие ямки. Чаще всего используется химическое, термическое и электролитическое травление, а также избирательное окисление, катодное растворение, ионная бомбардировка. Вещества для травления подбирают эмпирически ввиду сложности физико-химических процессов, происходящих на поверхности кристаллов. Экспериментально установлено, что кристаллы BaTiO3 хорошо обрабатываются в орто-фосфорной кислоте, NaCl - в уксусной, а для различных соединений с кремнием лучшим травителем служат растворы на основе плавиковой кислоты. [6]

Методом избирательного травления также показано, что при воздействии токовых импульсов длительностью 2 10 4 с и плотностью 20 МА / м2 увеличивается подвижность пирамидальных дислокаций в области их термоактивированного движения при 77 и 293 К, а также их размножение. [7]

Микрофотография доменной структуры кристалла - BaO 25SroT75 Nb2oe. Увеличение Х156. [8]

Метод избирательного травления позволяет по расположению и числу фигур травления характеризовать дислокационную структуру кристалла. Связанные с дислокациями поля напряжений вызывают локальные изменения показателя преломления и плотности, что может приводить к появлению дополнительного рассеяния света. Существенное влияние на оптические свойства могут оказывать также перераспределения примесных атомов в полях напряжений дислокаций. [9]

Методом избирательного травления интенсивно изучалось соотношение между началом образования трещины и плоскими скоплениями дислокаций в кристалле окиси магния. Стоке и др. [82, 83] показали, что микротрещины зарождаются в полосах скольжения, в местах их пересечений. [10]

Процесс избирательного травления материалов является завершающей стадией формирования элементов схем и оказывает решающее влияние на электрические параметры и выход изделия. [11]

При избирательном травлении происходит растравливание металла по контурам защитных покрытий на глубину, приблизительно равную глубине травления. [12]

Далее производится избирательное травление Si3N4 и тонкого слоя SiC с целью создания диэлектрика под будущий затвор. Через образованные окна осуществляется диффузия для получения областей истока и сто: ка, которые далее термически окисляются на глубину около 0 5 мкм. [13]

Надежная методика избирательного травления меди была разработана Янгом [58, 59], Ливингстоном [ 60, 60а ] и Ловелом и Вер-ником [61] и применена к исследованию ряда проблем. Янг и Ногл [59] получили данные, свидетельствующие о наличии дислокационных реакций в местах пересечения следов скольжения в меди, которая перед изгибом была упрочнена облучением. [14]

С помощью избирательного травления шлифованной поверхности пека и растворения при этом границ сопряжения кластеров доказано их существование, при этом размеры этих структур изменяются в достаточно широких пределах и согласуются с теоретическими. [15]

Страницы: 1 2 3 4