Cтраница 3
Керметы и дисилицид CrSi2 либо совсем не поддаются избирательному травлению, либо характеризуются большой неравномерностью травления. Причиной этого является образование химически устойчивой окиси хрома, образующейся одновременно с окислением кремния или моноокиси Кремния и прочно сцепляющейся с подложкой. [31]
Электронно-микроскопическое наблюдение на просвет начальных стадий роста [4, 8] и послойное избирательное травление показали [8], что образование дефектов происходит вблизи границы слоя с подложкой под влиянием неоднородностей, существовавших на поверхности подложки, а также в объеме при захвате растущим слоем инородных включений, образующихся на поверхности роста. [32]
Далее на поверхности формируется негативная фотО Маска и проводится избирательное травление подслоя. Затем поверхность покрывают сплошной резистивной пленкой и производят травление технологического подслоя. Травитель проникает через трещины и разрывы на ступеньках резистквной пленки. [33]
На основе систематических исследований с применением методики декорирования и избирательного травления [67, 68] были разработаны методы устранения этих дислокаций. [34]
![]() |
Подтравливание металла под защитную пленку при глубоком травлении алюминиевых сплавов. [35] |
В зависимости от характера защитных лакокрасочных покрытий, применяемых при избирательном травлении, технологическая схема может быть различной. [36]
Сущность комбинированного метода ( позитивного и негативного) заключается в избирательном травлении фольгирован-ного диэлектрика с металлизацией отверстий. [37]
Фирмы Bunker Ramo и Globe Union [3] для создания соединительных проводников используют метод химического и электролитического избирательного травления с применением фотолитографии. В качестве материалов для проводников применяют медь и хром. В работе [4] исследовалась возможность получения внутрисхемных соединений с помощью серебряно - xpOMOiBbix пленок. [38]
![]() |
Допустимые размеры отверстий, получаемых травлением в стекле. [39] |
Рельефные узоры с углублениями различной формы могут быть получены с помощью специальных способов защиты и избирательного травления. Глубина последних определяется временем пребывания в травильной ванне после удаления воска с соответствующей стороны. Отверстия с небольшой конусностью могут быть получены посредством маскирования воском только с той стороны, на которую должно выходить меньшее основание конуса. [40]
В последнее время разработаны и успешно применяются различные методы прямого наблюдения структурных дефектов в реальных кристаллах: избирательное травление, декорирование, рентгеновская топография, электронная и автоионная микроскопия. [41]
На анодной кривой положительное 0 8 В наблюдается участок активации, который, возможно, связан с избирательным травлением карбидов титана в этой области. [42]
![]() |
Травление рисунка. 1-фо - [ IMAGE ] Аномалии травления. а. [43] |
Из приведенных примеров ясно, что необходимо тщательно подбирать материалы и условия травления с тем, чтобы обеспечить избирательное травление определенного слоя при минимальном подтраве нанесенного сверху слоя фоторезиста и расположенного снизу слоя полупроводниковой структуры. [44]
Эмаль применяют для временной защиты дюралюминиевых сплавов, подготовленных по специальной технологии, от воздействия среды в процессе избирательного травления. [45]