Жидкостное травление
Cтраница 1
Жидкостное травление имеет ряд недостатков. Прежде всего в таком процессе приходится иметь дело с разнообразными вредными химически активными веществами. Производственная линия жидкостного травления должна снабжаться как минимум плавиковой и фосфорной кислотами, едким калием, азотной, уксусной ( для травления алюминия) кислотами. [1]
 |
Анизотропное травление с использованием масок на поверхностях плоскостей ( 100 и ( 110 кремния. [2] |
Для жидкостного травления полупроводников разработано множество составов травителей различного назначения, зависящих от свойств полупроводника и условий применения. [3]
В основе жидкостного травления лежит химическая реакция жидкого травителя и твердого тела, в результате которой образуется растворимое соединение. Подбором химического состава, концентрации и температуры травителя обеспечивают заданную скорость травления ( порядка 0 1 мкм / мин) и толщину удаляемого слоя. Локальное травление осуществляют через маску. [4]
Сухое травление обеспечивает более высокую разрешающую способность нежели жидкостное травление, более безопасно и допускает автоматизацию. Кроме того, оно не зависит от толщины фоторезиста в той степени, как это имеет место при жидкостном травлении, что особенно важно, когда травление должно проводиться поэтапно из-за отсутствия какого-либо другого адекватного способа установления момента окончания процесса травления. [5]
Он получен с субмикронным разрешением и в этих условиях не деформируется, хорошо выдерживает дальнейшее жидкостное травление SiO2 и фосфатосиликатного стекла при 21 С смесью HF и NH4F ( 1: 10), при этом не наблюдается подтравливания. Для рельефа ПММА при термолизе явно виден уход размеров, при травлении HF он полностью снимается с подложки. [6]
Он получен с субмикронным разрешением и в этих условиях не деформируется, хорошо выдерживает дальнейшее жидкостное травление Si02 и фосфатосиликатного стекла при 21 С смесью HF и NH4F ( 1: 10), при этом не наблюдается подтравливания. Для рельефа ПММА при термолизе явно виден уход размеров, при травлении HF он полностью снимается с подложки. [7]
Плазменное травление позволяет изготовить профиль в любом материале с точностью и качеством поверхности, недостижимыми для обычного жидкостного травления. Это обусловлено возможностями анизотропного режима материала, высокой управляемостью и стабильностью технологических процессов. [8]
С повышением степени интеграции ПС, требующим сокращения линейных размеров их элементов до 2 мкм и менее при обеспечении воспроизводимости результатов методы жидкостного травления оказываются непригодными. На смену им приходят методы сухого травления, использующие принципы физического ( механического) удаления материала пленки ( травление путем распыления при бомбардировке материала ионами инертного газа) или реактивного газового ( плазменного, реактивного ионного) травления либо сочетание этих двух принципов - реактивное ионно-лу-чевое травление. [9]
Подобно пленкам БФСС скорости травления пленок БСС и ФСС зависят от уровня легирования и условий осаждения. Они могут быть оптимизированы для одновременного получения высокой селективности жидкостного травления к термическому окислу и высокой селективности плазменного травления к монокремнию. [10]
Травление других типов поверхностей отличается более или менее выраженной селективностью. В ряде случаев для поверхностей 1120 и 0112 хорошие результаты дает жидкостное травление в смеси Н3РО4 - H2SO4 при температуре 250 - 300 С с последующим освежением поверхности в реакторе по методике, изложенной ранее. [11]
Сухое травление обеспечивает более высокую разрешающую способность нежели жидкостное травление, более безопасно и допускает автоматизацию. Кроме того, оно не зависит от толщины фоторезиста в той степени, как это имеет место при жидкостном травлении, что особенно важно, когда травление должно проводиться поэтапно из-за отсутствия какого-либо другого адекватного способа установления момента окончания процесса травления. [12]
Если материал пленки плохо поддается травлению ( например, Аи), то применяют так называемую обратную, или взрывную, фотолитографию. На пластине / ( рис. 2.20, а) сначала формируется фоторе-зистивная маска, а затем наносится пленка 2 и производится жидкостное травление. [13]
 |
Материалы для удаления фоторезистов. [14] |
Посредством травления удаляют слои диоксида кремния ( SiO2), металлов и поликремния, а также резисты в соответствии с желаемыми рисунками, сформированными резистом. Существует два основных вида травления: жидкостное и сухое. Чаще применяется жидкостное травление. В основе его лежит использование растворов, содержащих травители ( обычно это кислотные смеси) нужной концентрации, которые вступают в химическую реакцию с материалами, подлежащими удалению. Сухое травление включает применение реактивных газов в вакуумной камере с высоким напряжением, что также позволяет удалять слои, не защищенные резистом. [15]
Страницы: 1 2