Сухое травление

Cтраница 2

Тонкие пленки ITO легко поддаются травлению жидкими химическими веществами, такими как хлористоводородная кислота, но может понадобиться и сухое травление. [16]

Влияние ускоряющего напряжения на чувствительность слоя полиэтил - а-цианакрилата с толщиной d. [17]

Поли-тетрафторхлорпропилметакрилат является одним из наиболее высокочувствительных резистов, он устойчив к мокрому травлению, но менее устойчив, чем ПММА, к сухому травлению. Полифторакрилат, получаемый непосредственно на подложке из мономера при действии плазмы, имеет малую пористость ( европ. Проявление после экспонирования проводят как мокрым способом, так и с использованием кислородной плазмы. [18]

Патентуются сополимеры, / г-триалкилсилилстирола, триметил-аллилсилана, 3 - ( триалкилсилокси) этилакрилата и аналогичных соединений с различными ненасыщенными мономерами, например хлорметилстиролом, глицидилметакрилатом, диаллилфталатом; они отличаются высокой стойкостью к сухому травлению [ европ. СССР 701324 описан гексаметилдивинилсилсес-квиоксан, который в зависимости от экспозиционной дозы и способа проявления может служить позитивным или негативным резистом. Он наносится на подложку вакуумным напылением, образуя слой толщиной порядка 0 1 мкм. После экспозиции дозой 5 - 10 - 5 Кл / см2 и проявления кислотой или плазмой ( CF4 Os) получается позитивный рельеф, а после экспозиции Ю-7 Кл / см2 и проявления нагреванием до 150 С в вакууме - негативный рельеф. Модификация - у-меркаптоалкоксисиланов ненасыщенными алкидными смолами дает резист с чувствительностью 10 - 5 Кл / см2 [ пат. [19]

Патентуются сополимеры, n - триалкилсилилстирола, триметил-аллилсилана, р - ( триалкилсилокси) этилакрилата и аналогичных соединений с различными ненасыщенными мономерами, например хлорметилстиролом, глицидилметакрилатом, диаллилфталатом; они отличаются высокой стойкостью к сухому травлению [ европ. СССР 701324 описан гексаметилдивинилсилсес-квиоксан, который в зависимости от экспозиционной дозы и способа проявления может служить позитивным или негативным резистом. Он наносится на подложку вакуумным напылением, образуя слой толщиной порядка 0 1 мкм. После экспозиции дозой 5 - Ю 5 Кл / см2 и проявления кислотой или плазмой ( CF4 Oz) получается позитивный рельеф, а после экспозиции 10 - 7 Кл / см2 и проявления нагреванием до 150 С в вакууме - негативный рельеф. Модификация - у-меркаптоалкоксисиланов ненасыщенными алкидными смолами дает резист с чувствительностью 10 - 5 Кл / см2 [ пат. [20]

Некоторые станки сухого травления используют энергию радиочастот ( РЧ) в частотном диапазоне 100 - 450 КГц. Другие станки сухого травления используют энергию РЧ на частоте 13 65 МГц, в то время как другие используют микроволновые частоты на уровне 2 45 ГГц. Выбор частоты входной энергии может действовать на ионную энергию результирующей плазмы. В некоторых случаях плазменные ионы имеют очень малую направленную энергию. В других случаях плазменные ионы обладают большим количеством направленной энергии. В последнем случае могут использоваться ионные лучи. [21]

С повышением степени интеграции ПС, требующим сокращения линейных размеров их элементов до 2 мкм и менее при обеспечении воспроизводимости результатов методы жидкостного травления оказываются непригодными. На смену им приходят методы сухого травления, использующие принципы физического ( механического) удаления материала пленки ( травление путем распыления при бомбардировке материала ионами инертного газа) или реактивного газового ( плазменного, реактивного ионного) травления либо сочетание этих двух принципов - реактивное ионно-лу-чевое травление. [22]

Следует отметить, что процессам сухого травления присущи определенные недостатки, к числу которых относится сложность и высокая стоимость оборудования по сравнению с жидкостным процессом, подтравливание при плазмохимическом травлении и нарушение поверхности при ионном травлении, снижение технологичности процесса из-за неконтролируемого травления у границы резист-полупроводник вследствие искажения потенциала и трудностей фиксации момента окончания процесса травления слоя. Однако эти недостатки не перекрывают тех преимуществ, которые обеспечивают методы сухого травления: высокое разрешение, хорошая воспроизводимость результатов травления элементов с субмикронными размерами. [23]

Жидкие химические травители.| Газы для плазменного травления и материалы, подвергаемые травлению. [24]

Процессы физического травления похожи на взрыв песка, в том смысле, что атомы газа аргона используются для физической бомбардировки слоя, который должен быть подвергнут травлению. Вакуумная насосная система применяется для удаления смещенного материала. Реактивное ионное травление представляет собой комбинацию химического и физического сухого травления. [25]

Прогнозированию надежности высокоинтегрированной аппаратуры посвящена гл. В особую главу выделены вопросы технологии БИС, СБИС и МЭА на их основе. На основе систематизации зарубежных публикаций приводятся описания методов разработки п изготовления фотошаблонов, электронной и рентгеновской литографии, технологических методов сухого травления - ионного и иошю-лучевого. [26]

Перспективной для использования в производстве ИС является сухая микролитография, при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста ( например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении ( например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. [27]

СС), который обеспечивает избирательность травления. Электрический разряд образует плазму реактивных свободных радикалов ( ионов) с энергией в несколько сотен электрон-вольт. Ионы вертикально бомбардируют поверхность пластины, где они взаимодействуют, образуя летучие вещества, которые удаляют с помощью находящейся на одной линии основной установки вакуумной системы низкого давления. В системах сухого травления для удаления остатков, накапливающихся внутри камер, иногда применяется цикл очистки. [28]

За литографией обычно следует процесс локального травления. В предыдущих процессах для очистки лицевой поверхности использовалось химическое травление в растворах, которое широко применяется и в настоящее время. Однако, ввиду того что от состояния и точности рисунка, сформированного в фоторезисте в результате проявления, в значительной мере зависит выход годных и характеристики ИС, при наличии в топологии элементов с размером менее 5 мкм водные растворы для травления уже не применяются. Основным методом становится так называемое сухое травление, которое продолжает в настоящее время исследоваться и развиваться с целью применения в субмикронной технологии. [29]

Основные типы химического парофазного осаждения кремния. [30]

Страницы: 1 2 3