Сухое травление

Cтраница 3

Поток электронов ускоряется через электрическое поле от 5 до 10 кВ и фокусируется на материале, который нужно выпарить. Сфокусированный пучок электронов расплавляет материал, находящийся в блоке с водяным охлаждением с большим углублением, называемым очагом. Расплавленный материал затем испаряется в вакуумной камере и конденсируется на холодных пластинах, а также на всей поверхности камеры. После этого выполняются стандартные операции нанесения фоторезиста, экспонирования, проявления и жидкостного или сухого травления для получения сложной электрической схемы с металлизацией. [31]

Материалы для удаления фоторезистов. [32]

Посредством травления удаляют слои диоксида кремния ( SiO2), металлов и поликремния, а также резисты в соответствии с желаемыми рисунками, сформированными резистом. Существует два основных вида травления: жидкостное и сухое. Чаще применяется жидкостное травление. В основе его лежит использование растворов, содержащих травители ( обычно это кислотные смеси) нужной концентрации, которые вступают в химическую реакцию с материалами, подлежащими удалению. Сухое травление включает применение реактивных газов в вакуумной камере с высоким напряжением, что также позволяет удалять слои, не защищенные резистом. [33]

Следует заметить, что полимеризация функционализирован-ных НБ в последние годы нашла интересное применение в электронике. Опубликован ряд исследований по синтезу матричных материалов для фоторезистов для вакуумного УФ. В работах [34, 35] проведена винильная полимеризация карбо-трет-бутоксинорборне-на ( КТБНБ) и норборненкарбоновой кислоты ( НБКК) и сополи-меризация КТБНБ с НБКК и КТБНБ с НБ или 8-метил - ТЦД. Полимеры характеризовались низким поглощением при 193 нм ( ArF лазер) и высоким сопротивлением сухому травлению, что делает их перспективными для использования в микрофотолитографии при 193 нм. В рецептуре с генераторами фотокислот ониевого типа и пластификаторами эти фоторезисты продемонстрировали высокие разрешение и чувствительность. [34]

На рис. б показана схема метода, называемого химическим сухим травлением, в котором совершенно не используются ионы. С помощью ВЧ-поля ( 2 45 ГГц) формируется электрический разряд в CF4 O2, С восстанавливается и при этом образуются атомы F ( вероятно, в основном состоянии), которые имеют достаточно большое время жизни ( секунды) для того, чтобы ввести их в камеру для травления и осуществить травление образца. На рис. 4.75 показано, что добавление Ог изменяет скорость травления поликристаллического Si, Si3N4, резиста, Mo, W. Из рисунка видно, что поликристаллический Si, W, Mo имеют более высокую скорость травления по сравнению с Si02 и ре-зистом. Тот факт, что увеличение концентрации 02 приводит к уменьшению скорости травления, связан, вероятно, с окислением. Поскольку метод сухого травления обеспечивает изотропное травление материала, при его применении возникает под-трав, следовательно, этот метод не подходит для формирования элементов со сверхмалыми размерами. Вместе с тем этот метод не образует дефектов, поэтому в сочетании с методом реактивного ионного травления, который будет рассмотрен ниже, этот метод может найти широкое применение. [35]

Благодаря высокой химической активности ионов и возбужденных атомов, которые легко создавать в плазме тлеющего разряда при постоянном токе или высокочастотном разряде, можно получать тонкие пленки карбидов, н итридов, оксидов, гидридов, сульфидов, арсенидов и фосфидов. С этой целью в плазму инертного газа вводят реакционноспособный газ. В зависимости от давления и химической активности взаимодействующих частиц, свойств подложки и температурных условий химическая реакция происходит на катоде, в плазме или у анода. Состав пленок, получаемых этим методом, зависит от особенностей кинетики плазмы и термодинамических параметров протекающих процессов. В настоящее время достаточно хорошо освоено применение реактивного распыления для плазменного или сухого травления ( селективного и неселективного характера) целого ряда металлических и неметаллических поверхностей [4] путем введения в плазму соответствующих галогеноуглеродов, вступающих в реакцию с подложкой, в результате которой образуются галоге-ниды с высоким давлением паров. [36]

Страницы: 1 2 3