Cтраница 3
Применение траектографов позволяет находить с хорошей точностью траектории заряженных частиц в полях, не поддающихся аналитическому расчету. При этом время, затрачиваемое на построение траекторий, сокращается во много раз, а автоматичность операции позволяет сосредоточить внимание на существе задачи в отличие от аналитических и графо-аналитических методов. [31]
Значение жесткости R, В, определяет траекторию заряженной частицы в магнитном поле. Радиус, м, кругового движения заряженной частицы в однородном магнитном поле В, Тл, составляет / - 3 34 - 10 - 9 К / В. [33]
Геодезическая цилиндрического мира может быть отождествлена с траекторией пробной заряженной частицы, движущейся в комбинированном гравитационно-электромагнитном поле. [34]
В разделе 26.10 показывается, как можно увидеть траектории заряженных частиц в газах. Само устройство конденсационной камеры особой важности не имеет. Этот раздел, вероятно, лучше всего прорабатывать как своеобразное до полнение к тому или иному демонстрационному опыту. [35]
![]() |
Диафрагма с круглым. [36] |
Гонкие линии - вквипотенциали; кривые со стрелками - траектории заряженных частиц. [37]
При этом в области виртуального катода имеет место сгущение траекторий заряженных частиц. Далее с течением времени наблюдается сброс заряда из области виртуального катода обратно к плоскости инжекции ( из пространства взаимодействия), плотность пространственного заряда в пространстве взаимодействия резко уменьшается, в результате глубина тормозящего потенциального барьера становится меньше и, как следствие, виртуальный катод открывается электроны легко преодолевают потенциальный барьер. В системе появляются пролетные частицы, происходит накопление пространственного заряда в междусеточном пространстве, глубина потенциального барьера растет - возникает отражающий от себя электроны виртуальный катод. Таким образом, процесс периодически повторяется. На рис. 5.6 а представлено три характерных временных периода колебаний виртуального катода. Из сравнения рисунков 5.5 а, 5.6 а и рисунков 5.5 б, 5.6 б можно сделать вывод, что с увеличением надкритичности наблюдается рост частоты WBK колебаний виртуального катода. Одновременно с этим имеет место смещение среднего положения виртуального катода к плоскости инжекции и, как следствие, уменьшение времени пролета в пространстве взаимодействия электронов, отраженных от виртуального катода. При большой надкритичности практически все электроны, инжектируемые в пространство взаимодействия, оказываются отраженными от виртуального катода ( см. рис. 5.6 б) - пролетный ток близок к нулю. Из рисунка видно, что ток пролетных частиц при малой надкритичности составляет величину порядка 10 - - 20 % ( при а 2 0 отношение / пр / / отр - 16 %) и резко падает с ростом параметра Пирса. [38]
Например, магнитное поле в камере Вильсона существенно искривляет траекторию заряженных частиц до и после столкновения, однако во время столкновения действием магнитного поля можно пренебречь. [39]
Эти приборы основаны на влиянии магнитных и электрических полей на траекторию заряженной частицы. [40]
Неоднородное магнитное поле может иметь очень сложную геометрическую форму, и траектории заряженных частиц в таком поле также могут оказаться очень причудливыми и запутанными. Трудно надеяться на то, что удастся найти общие законы, которые были бы в равной мере нриложимы к любым таким траекториям. Однако картина движения очень упрощается, если рассматривать только те частицы, у которых ларморовский радиус имеет относительно небольшую величину по сравнению с тем расстоянием, на протяжении которого поле заметно изменяется, или, как выражаются в физике, по сравнению с характерным размером неоднородности поля. [41]
Из выражения r mv / ( qB) для радиуса кривизны траектории заряженной частицы, скорость которой перпендикулярна направлению магнитного поля ( см. задачу 18.2), видно, что чем больше заряд частицы, тем меньше радиус кривизны ее траектории. [42]
![]() |
Трансформация спектра протонного пучка при проникновении в. [43] |
Это оправдано лишь в специальных случаях, поскольку прямое статистическое моделирование траектории заряженной частицы в веществе требует значительных затрат машинного времени. Один из них будет проанализирован в заключении раздела, а сейчас рассмотрим метод Монте-Карло в задаче прохождения электронного пучка через вещество. [44]
Черепковское свечение возникает в результате когерентного излучения ориентированных диполей, возникающих вдоль траектории заряженной частицы под действием ее электрического поля. Эффект Черепкова широко применяется для определения скорости бы-стродвижущихся заряженных частиц. [45]