Транзистор

Cтраница 1

Транзистор характеризуется барьерной и диффузионной емкостями эмиттерного и коллекторного переходов. Барьерная емкость обусловлена наличием объемного заряда в p - n - переходах. Диффузионная емкость эмиттерного перехода обусловлена изменением заряда в базе при изменении потенциала эмиттера, а коллекторного перехода - при изменении потенциала коллектора. [1]

Транзисторы второй группы способны работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. [2]

Транзистор переходит в режим отсечки, и процесс выключения транзисторного ключа заканчивается. [3]

Транзисторы в реостатных каскадах предварительного усиления обычно включают с общим эмиттером, так как только при этом можно соединить последовательно несколько каскадов, получая от каждого из них усиление сигнала. [4]

Транзистор VT1 в схеме рис. 6.25, а выполняет функцию ключевого элемента. [5]

Транзистор Т4, включенный как диод, предназначен для стабилизации режима работы всех каскадов. Элементы Т7, R8, Т9, R10 образуют схему сдвига уровня напряжения, представленную на рис. 8.106. К оконечному эмиттерному повторителю относятся Т9, R11 и R. Диод) Di предназначен для защиты оконечных транзисторов от перегрузки при высоком уровне выходного сигнала. [6]

Транзистор п - р - п ( р - п - р) - транзистор, у которого область базы имеет преимущественно дырочную ( электронную) проводимость, а области эмиттера и коллектора имеют преимущественную электронную ( дырочную) проводимость. Большинство типов выпускаемых транзисторов относятся к р-п - р транзисторам. [7]

Транзистор симметричный - транзистор, электрические характеристики которого практически не изменяются при перемене местами ( в схеме включения) коллекторного и эмиттерного выводов. [8]

Транзисторы в интегральных микросхемах можно классифицировать по их конструкции я технологии изготовления аналогично тому, как классифицировались сами [ полупроводниковые интегральные микросхемы. По методу изоляции различают транзясто-ры, изолированные р-я-шереходом, и транзисторы, изолированные диэлектрической пленкой. [9]

Транзисторы, изолированные пленкой двуокиси кремния, можно изготовлять как по пленарной, так и по зпитаксиально-планарнои технологии. Причем можно создавать как равномерное, так и неравномерное распределение примесей в коллекторе. Область коллектора в таких транзисторах создают зпитаксиальяым наращиванием, а области базы и эмиттера - диффузией примесей. Потому планар-но-эпитакеиаль ныг транзисторы имеют неравномерное распределение примесей в базе. Это приводит к возникновению в базе внутреннего электрического поля, ускоряющего движение неосновных носителей от эмиттера к коллектору. Таким образом, по механизму движения носителей в базе планарно-эгситакеиальные транзисторы являются дрейфовыми. [10]

Транзисторы помещают в кассету 7, которую приклеивают к плате при совмещении выводов транзисторов с соответствующими контактами. Герметизация корпуса обеспечивается заливкой компаундом со стороны выводов. [11]

Выходная ( а и передаточная ( б характеристики и-канального транзистора с управляющим р-я-переходом. [12]

Транзисторы с каналом л-типа имеют лучшие частотные свойства, так как подвижность электронов выше подвижности дырок. Полевые транзисторы управляются напряжением, не потребляют в статических режимах ток от источника управляющих сигналов, имеют высокую степень гальванической развязки между сигнальной и управляющей цепями. В запертом состоянии они имеют малые токи утечки ( единицы наноампер при комнатной температуре), а в открытом-остаточное напряжение, близкое к нулю. [13]

Транзистор Т1 включен по схеме с общим эмиттером. Напряжение, снимаемое с диода ДЗ, служит для смещения рабочей точки транзистора. Для стабилизации напряжения смещения служит кремниевый стабилитрон. Напряжение, подаваемое на коллектор триода, выпрямляется в двух-полупериодном выпрямителе В. [14]

Транзистор VT1 начинает открываться, а транзистор VT2 - закрываться. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5