Транзистор

Cтраница 2

Транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией диэлектриком по параметрам близки к дискретным транзисторам, однако у интегральных транзисторов выводы всех электродов выполняются с одной стороны кристалла. [16]

Транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией р-гс-перехо-дом представляют собой четырехслойную структуру с тремя р-п-пе-реходами, один из которых - изолирующий. Наличие этого перехода приводит к появлению паразитных элементов и ухудшает параметры интегральных транзисторов по сравнению с дискретными. [17]

Балансный симметричный каскад на биполярных транзисторах при воздействии синфазных напряжений на входах 1 и 2. [18]

Транзисторы работают в одинаковом режиме. Их коллекторные токи и напряжения равны. [19]

Транзистор с общей базой ( рис. 8.61, а) представлен схемой замещения ( рис. 8.61, б) с заданными параметрами R. [20]

Транзистор с общим эмиттером ( рис. 8.65, а) представлен схемой замещения ( рис. 8.65, б) с заданными параметрами RQ, RK, R3, a. [21]

Транзистор в устройстве включен по схеме с общим эмиттером. От транзистора, в частности, зависит верхний предел потенциала сооружения при катодной поляризации. При такой схеме включения входным током является ток базы / б, а выходным - ток коллектора / к. Для получения тока во входной цепи база должна иметь положительный потенциал относительно эмиттера, а эмиттерный переход должен быть открыт. По входным характеристикам транзистора, выражающим зависимость тока базы напряжения при постоянном значении напряжения на коллекторе, определяют порог срабатывания транзистора U. Потенциал сооружения, при котором откроется транзистор, определяется выражением Uc С / у э U. Следовательно, чем меньше U, тем раньше откроется транзистор и тем больше приблизится потенциал сооружения к потенциалу управляющего электрода. [22]

Транзистор VT5 входит в режим насыщения и подключает Д к СЗ. [23]

Транзисторы в реостатных кгскадах предварительного усиления обычно включают с общим эмиттером, так как только при этом можно соединить последовательно несколько каскадов, по лучая от каждого из них усиление сигнала. Включение с общей базой целесообразно лишь для входных каскадов, работающих от источника сигнала с малым внутренним сопротивлением порядка входного сопротивления транзистора при таком включении. [24]

Транзистор Т5 при этом закрыт. [25]

Транзистор, напомним, состоит из трех различных полупроводников: эмиттера, базы и коллектора. [26]

Принципиальная схема извещателя ПОСТ-1. [27]

Транзистор ПП1 закрыт, так как отрицательный потенциал его эмиттера выше потенциала базы. В базу составного транзистора ПП2 - ППЗ поступает ток смещения через резистор R2, при этом транзисторы ПП2 - ППЗ открыты. [28]

Принципиальная электрическая схема извещателя ПОСТ-1. [29]

Транзистор Т6 открыт, и через его переход эмиттер - коллектор в базу транзистора ТЗ поступает ток смещения. Транзистор ТЗ открыт, потенциал его коллектора мал и эквивалент тиристора Т2 - Т1 заперт. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5