Транзистор - микросхема
Cтраница 1
 |
Варианты применения микросхем серии К224. [1] |
Транзисторы микросхем включены по схеме ОЭ - ОК - ОБ. С нагрузки входного каскада ( резистор Rt) сигнал поступает на эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе Тг и далее через разделительный конденсатор С2 на выходной каскад. Нагруз-кой микросхемы может служить контур частотного детектора. [2]
Транзистор микросхемы VT3, на котором выполнен смеситель, включен по схеме с общим эмиттером. [3]
 |
Принципиальная схема генератора развертки осциллографа С1 - 77. [4] |
Транзистор микросхемы У2 - 1 позволяет фиксировать начальный уровень пило-образногв напряжения н сокращать время обратного хода развертки. [5]
Транзистор TI микросхемы включен по схеме ОК. Транзистор выходного каскада включен по схеме ОЭ. Из его коллекторной цепи усиленный сигнал подается через конденсатор С10 на катод кинескопа. [6]
Все транзисторы микросхем включены по схеме ОЭ. [7]
Два верхних транзистора микросхемы образуют ФД и УПТ. [8]
Для питания транзисторов микросхем серии 219 необходимо напряжение 5 или 6 В, а напряжение источника питания микросхемы К224НТ1 составляет 15 В. По усилительным свойствам транзисторы этих микросхем практически одинаковы. [9]
 |
Схема ( а, конструкция ( б и условное обозначение ( в микросхемы К118УН1. [10] |
Связь между транзисторами микросхемы непосредственная. В эмит-терной цепи транзистора V2 имеется резистор сопротивлением 400 Ом. На нем происходит падение напряжения, которое через два соединенных последовательно резистора по 4 кОм подается на базу транзистора VI и, действуя как напряжение смещения, открывает его. [11]
 |
Цоколевка ( а и нумерация выводов ( б микросхем К122УН1А - К122УН1В. [12] |
Никакой подгонки режимов транзисторов микросхемы приемник не требует. Что же касается небольшого смещения границ диапазона волн, перекрываемого приемником, то это, как ты уже знаешь, можно сделать изменением положения контурной катушки L1 ( вместе с катушкой L2) на ферритовом стержне. [13]
Определяют режим работы транзистора выбранной микросхемы и рассчитывают параметры его физической эквивалентной схемы. [14]
Зависимость порогового напряжения затвор - исток транзисторов микросхем от напряжения исток-подложка. Заштрихована область разброса значений параметра для 95 % микросхем. [15]
Страницы: 1 2 3