Транзистор - микросхема
Cтраница 2
В ждущем режиме уровень напряжения на базе транзистора Тг микросхемы Мс - устанавливается равным 2 3 В с помощью устройства управления режимом, поэтому туннельный диод Д2 находится в режиме с малым напряжением, транзистор T. Когда через диод Дг поступает положительный запускающий импульс, туннельный диод Д2 переходит в режим с большим напряжением транзистор 7 открывается, транзистор микросхемы Мс закрывается и конденсатор С заряжается: интегратор формирует линейно растущее напряжение. С выхода эмиттер-ного повторителя ( транзистор 7 микросхемы Мс3) это напряжение поступает на вход усилителя X и сравнивающее устройство. Когда уровень пилообразного напряжения достигнет 7 5 В, на туннельном диоде Д4 устанавливается большое напряжение, транзистор Т3 открывается и блокировочный конденсатор Сбл через диод Д3 быстро разряжается, потенциал базы транзистора Г2 микросхемы Mci понижается и транзистор Тг запирается. Начинается обратный ход: транзистор микросхемы Мса открывается, и конденсатор С быстро разряжается. Когда напряжение на выходе понижается до 4 В, на туннельном диоде Д4 устанавливается малое напряжение и транзистор Т3 и диод Д3 закрываются; начинается заряд конденсатора Сбл через резистор Rt. Пока напряжение на Сбл не достигнет исходного уровня, устанавливаемого при помощи транзистора Т1 ( в диодном включении) микросхемы Мсъ ток туннельного диода Д2 мал и запускающий импульс не может перевести его в режим с большим напряжением - генератор блокируется. [16]
Сигнал, который подается на Вход 2 ( база транзистора микросхемы), формирует сигналы, совпадающие по фазе. При фазовом сдвиге сигналов, равном 90, на входах и выходах микросхемы образуются одинаковые сигналы. [17]
Принципиальная схема микросхемы приведена на рис. 7.15. Там же рассмотрена взаимосвязь транзисторов микросхемы и прохождение сигнала. [18]
 |
Базовый элемент 134 - й серии - а - принципиальная схема, б. [19] |
Поскольку сопротивления тут достаточно велики, мощность, рассеиваемая на каждом транзисторе микросхемы, мала. [20]
Экспериментальная проверка формул ( 1 - 135), ( 1 - 136) для транзисторов микросхемы показала, что эти формулы при р1 5, р 2 дают сильно заниженное значение коэффициента усиления ( рис. 1 - 45) и не могут быть использованы для этого типа транзисторов. [21]
Схема раздельного тракта УПЧ сигналов ЧМ, выполненная на пяти интегральных микросхемах К159НТ1Д, приведена на рис. 8.2. Транзисторы микросхем соединены по каскодной схеме общий коллектор - общая база. Схема содержит пять каскадов усилителей-ограничителей, нагрузками которых являются двухконтурные полосовые фильтры с внешнеемкостной связью между контурами, обеспечивающими требуемую селективность по соседнему каналу. [22]
При отрицательной полярности моделирующего напряжения ( плюс в точке а) микросхема закрыта и входной сигнал без искажения поступает на вход усилителя переменного тока, при положительной полярности имод транзисторы микросхемы находятся в насыщении, их остаточные напряжения компенсируют друг друга, напряжение на выходе модулятора близко к нулю. Таким образом, на выходе модулятора получим последовательность одно-полярных импульсов м с огибающей, соответствующей закону изменения входного напряжения. При изменении знака UBX ( рис. 5.18, в) выходные импульсы также изменяют свою полярность. [23]
В отличие от диодов, специально вводимых в схему д тя защиты входов от пробоя, существование диодов на вы о де инвертора ( см рис. 6 - 4) обусловлено конструкцией транзисторов микросхемы. Эти диоды - не самостояте л-ные компоненты, а р - n - переходы, которые обеспечивают взаимную изоляцию областей с разными типами проводимости: сток р-канального транзистора изолируется от подложки, сток n - канального транзистора - от области р-типа и подложка - от области р-типа. [24]
В высокочастотных каскадах тракта AM на интегральных микросхемах ( см. рис. 5.8) микросхема D1 выполняет функцию преобразователя частоты. На одном транзисторе микросхемы V2 выполнен гетеродин по схеме индуктивной трехточки с подачей напряжения гетеродина в цепь эмиттера смесителя. Контуры гетеродинов подключаются к выводам 7 и 9 микросхемы. Построение и подключение контуров аналогично приведенным на рис. 5.1. На другом транзисторе микросхемы VI выполнен смеситель сигналов диапазонов ДВ, СВ и КВ. Связь между контурами фильтра осуществляется с помощью конденсаторов связи С2, Сб. Он настроен на частоту 465 кГц и подавляет мешающий сигнал этой частоты. [25]
 |
Схемы кварцевого генератора на гибридно-пленочной микросхеме К2УС249. [26] |
Схема кварцевого генератора, собранного по емкостной трехточечной схеме, в качестве активного элемента, использующего гибридно-пленочную микросхему типа К2УС24Э, приведена на рис. 4.4 а. В цепь коллектора транзистора микросхемы включено нагрузочное сопротивление Rz, с которого через разделительный конденсатор Ci снимается напряжение высокой частоты. Кварцевый резонатор Пэ включен между базой транзистора и общей точкой схемы, резистор R предотвращает возможность возникновения паразитных колебаний через статическую емкость кварцевого резонатора, Ci и Сч - емкости связи, конденсатор Сз блокировочный. Как видно из рис. 4.4 а, коррекция частоты генератора в данном случае не предусмотрена. [27]
Микросхема Dl ( K157XA1A) выполняет функцию УВЧ и преобразователя частоты. Резонансный УВЧ построен на транзисторе VI микросхемы. [28]
 |
Логические уровни микросхем серии 7400. [29] |
Напряжение питания ТТЛ микросхем составляет 5 В, напряжение питания большинства КМОП логики лежит в диапазоне от 2 до 6 В. Это зависит от напряжения Vcc в транзисторах микросхем. [30]
Страницы: 1 2 3