Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Некоторые люди полагают, что они мыслят, в то время как они просто переупорядочивают свои предрассудки. (С. Джонсон). Законы Мерфи (еще...)

Транзистор - большая мощность

Cтраница 2

Зависимость коэффициента усиления Р от тока / э германиевого сплавного транзистора средней мощности.  [16]

Особенно заметно снижение В на низких температурах и на транзисторах больших мощностей. Обычно эти транзисторы стремятся использовать на малых токах, считая, что запас по мощности обеспечит их надежную работу; резкое снижение В ( I) не учитывается, что в ряде случаев приводит к снижению надежности. Все сказанное поясняется рис. 2.31. Из кривых ( рис. 2.31) следует, что зависимость B ( ls; t) тем резче, чем больше мощность транзистора.  [17]

Иногда транзисторы с мощностью рассеяния от 1 до 10 Вт называют транзисторами большой мощности.  [18]

Разработанные в последние годы новые технологические методы производства транзисторов - меза-планар-ная технология - позволяют создавать транзисторы большой мощности с высокими предельными частотами. Ограничение на рассеиваемую транзистором мощность накладывает в настоящее время внутреннее тепловое сопротивление прибора от коллекторного р-п перехода, где происходит фактически все тепловыделение, до корпуса, температура которого обычно задается техническим заданием на транзистор.  [19]

По мощности транзисторы подразделяются на три группы: транзисторы малой мощности - до 0 3 вт, транзисторы средней мощности - от 0 3 до 1 5 вт и транзисторы большой мощности - свыше 1 5 вт. Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторе транзистора.  [20]

Простая схема бес-трансформаторного двухкас-кадного усилителя с выходным каскадом, работающим. в режиме В.| Бестрансформаторный усилитель с несимметричным выходом и входом и мощными выходными транзисторами одинаковой проводимости, работающими в режиме В.  [21]

Широкое применение бестраисформаторных усилительных устройств с большой выходной мощностью и двухтактным выходным каскадом с дополнительной симметрией типа рис. 6.21 затрудняется малым выбором пар р-п - р - и п-р - п - транзисторов большой мощности.  [22]

Тип транзистора обозначают следующим образом: первая буква ( цифра) указывает на материал ( Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия); на втором месте ставят букву Т ( транзистор); на третьем месте стоит трехзначное число, указывающее мощность рассеяния и частоту ( транзисторы малой мощности низкочастотные-от 101 до 199, среднечастотные - от 201 до 299, высокочастотные - от 301 до 399; транзисторы средней мощности низкочастотные - от 401 до 499; среднечастотные - от 501 до 599, высокочастотные - от 601 до 699; транзисторы большой мощности низкочастотные - от 701 до 799; среднечастотные - от 801 до 899; высокочастотные - от 901 до 999); на четвертом месте ставят букву, указывающую на разновидность конструкции транзистора данной группы.  [23]

Отсюда может быть сделан важный практический вывод. Транзисторы больших мощностей, особенно германиевые, как правило, более критичны к режиму во входной цепи, чем транзисторы малых мощностей. Напряжение пробоя ( если это тепловой пробой) таких транзисторов более резко меняется ( снижается) в зависимости от схемы включения, величины сопротивления во входной цепи и величины запирающего эмиттер смещения. Эта зависимость особенно заметна в области отсечки и в начале области усиления, на малых токах.  [24]

Для транзисторов большой мощности, когда они работают без теплоотводящих радиаторов, Як.  [25]

Второй важный параметр, обозначаемый / с, определяет максимальное постоянное значение коллекторного тока, при котором гарантируются значения ряда других параметров. Для транзисторов большой мощности он задается в амперах, малой - в миллиамперах.  [26]

Испытания транзисторов на стабильность характеристик показали, что у транзисторов малой мощности, работающих в режиме, близком к допустимому, в течение первых 50 ч работы наблюдается смещение вольт-амперной характеристики транзистора, включенного по схеме со свободной базой, примерно на 10 % в сторону увеличения тока. У транзисторов большой мощности смещение характеристик наблюдается до 150 ч непрерывной работы в режиме, близком к предельно допустимому, а величина приращения тока достигает 40 % i от первоначального значения.  [27]

Максимально допускаемая мощность, рассеиваемая транзистором с радиатором. Эффективное использование транзисторов большой мощности возможно лишь при условии, что они смонтированы на радиаторах - металлических пластинах или металлических конструкциях иной формы, способствующих отдаче тепла от транзисторов в окружающую среду. В качестве радиатора часто используют монтажное металлическое шасси ( корпус) аппарата.  [28]

В них используют транзисторы большой мощности на теплоотводах.  [29]

Схема измерения емкости дио - резонанс при какой - ЛИ-да куметром бо фиксированной емкос.  [30]

Страницы:      1    2    3