Транзистор - большая мощность
Cтраница 3
При снятии вольтамперной характеристики по этой схеме следует учитывать разогрев, вызываемый мощностью, выделяемой на транзисторе, что приводит к искажению характеристики. Особенно это следует учитывать при снятии характеристик транзисторов большой мощности. [31]
Хорошее охлаждение транзистора является основой для стабильной и надежной работы аппаратуры. При повышении температуры корпуса и перехода снижаются максимальные и предельно допустимые напряжения, токи и мощности, изменяются почти все параметры, снижается термоустойчивость транзистора, поэтому на условия охлаждения обращают самое серьезное внимание, особенно для транзисторов больших мощностей. [32]
Хорошее охлаждение транзистора является основой для стабильной и надежной работы аппаратуры. При повышении температуры корпуса и перехода снижаются максимальные и предельно допустимые напряжения, токи и мощности, изменяются почти все параметры, снижается термоустойчивость транзистора, поэтому па условия охлаждения обращают самое серьезное внимание, особенно для транзисторов больших мощностей. [33]
У сплавных маломощных транзисторов с корпусом соединена база, у высокочастотных - коллектор. У некоторых новых высокочастотных транзисторов малой мощности ( ГТ311, ГТ313А - ГТ313Е, ГТ322А - ГТ322Е) все выводы электродов изолированы от корпусов. У транзисторов большой мощности с корпусами соединены коллекторы для лучшего теплоотвода. [34]
Установку потенциала, открывающего транзистор Т4, производят последовательной регулировкой потенциометров R4 и R. Потенциал, поддерживаемый станцией, может меняться в пределах от 0 5 до 5 0 в. В выходном каскаде установлен транзистор большой мощности с естественным охлаждением. Рост тока в обмотке 1МУ, выполняющей роль нагрузки в усилителе постоянного тока, приводит к изменению индуктивности обмоток II МУ и уменьшению угла зажигания тиристоров. [35]
 |
Очистка полупроводника методом зонной плавки.| Расположение трех элементов, образующих транзистор. [36] |
После охлаждения получают монокристалл, обладающий массой несколько килограммов. Затем его предстоит разрезать на большое количество маленьких кусочков, каждый из которых впоследствии будет превращен в транзистор. За исключением заготовок для транзисторов большой мощности эти кусочки имеют примерно 2 мм в длину и в ширину и несколько десятых долей миллиметра в толщину. [37]
Для удобства поиска данных транзисторы сгруппированы в справочнике как по максимально допустимой рассеиваемой мощности ( для мощных транзисторов - с применением теплоотвода), так и по частоте. В последнее время разработано большое число составных транзисторов ( транзисторов Дарлингтона), данные о них представлены в самостоятельных таблицах. В связи с различным составом параметров генераторных и переключательных ВЧ транзисторов большой мощности и СВЧ транзисторов средней и большой мощностей данные о них разделены по функциональным признакам и также приведены в самостоятельных таблицах. В пределах каждой таблицы биполярные транзисторы расположены по мере возрастания основного определяющего параметра - постоянного тока коллектора, а полевые транзисторы - по мере увеличения рассеиваемой мощности на транзисторе. В конце справочника даны указатель типов транзисторов и указатель таблиц. [38]
Нора показана на рис. а, где эмиттер и коллектор - диски, а база - кольцо. Входное напряжение Vae подается на эмиттерный и базовый выводы. Такое локальное увеличение плотности тока через р - / г-переход можег привести к локальному тепловому пробою между эмиттером и коллектором транзистора. Очевидно, что разница в плотностях тока между центром и краями эмиттера будет тем больше, чем больше диаметр эмиттера и чем больше ток через него. Такое положение типично для транзисторов большой мощности. [39]
 |
Реостатный уси - [ IMAGE ] Статические характеристики транзистора литель в схеме с общим в схеме с общим эмиттером. [40] |
Контактирующая с транзистором поверхность радиатора не должна иметь раковин, заусениц, царапин и выбоин. В радиаторе под каждый вывод сверлятся отверстия, которые должны иметь минимальный диаметр. Отвод тепла улучшается при вертикальном расположении теплоотвода. Тепловое сопротивление черненных радиаторов примерно на 10 % меньше, чем неокрашенных. Для уменьшения общего теплового сопротивления радиатор всегда изолируется от корпуса аппаратуры. Для транзисторов большой мощности применяется принудительное охлаждение. [41]
Страницы: 1 2 3