Транзистор - р-п-р-тип
Cтраница 1
Транзистор р-п-р-типа обладает дырочной проводимостью, а n - p - ti - тита - электронной проводимостью. [1]
Работа транзистора р-п-р-типа отличается от работы транзистора п-р - n - типа тем, что процесс переноса электрического тока осуществляется дырками, и поскольку меняется знак носителей тока, то меняется и полярность питающего напряжения. [2]
В транзисторе р-п-р-типа дырки - основные носители заряда; токи ia, i K обусловлены главным образом движением дырок. [3]
Как устроен транзистор р-п-р-типа. Опишите, как он работает в схеме усилителя с общей базой. [4]
Ток коллектора транзистора р-п-р-типа спадает к нулю при небольшом положительном напряжении на коллекторном переходе. [5]
 |
Триггер с эмиттерной связью. [6] |
Известно, что для запирания транзистора р-п-р-типа необходимо, чтобы потенциал базы был положителен относительно потенциала шиттера. [7]
 |
Схемы включения транзистора. [8] |
Работа транзистора п-р-п-тнпа происходит аналогично работе транзистора р-п-р-типа. В этом случае носителями тока являются электроны и полярность внешних напряжений меняется на обратную. [9]
 |
Логические схемы инжекционного типа. [10] |
Многоколлекторный транзистор п-р-и-типа применяется в качестве инвертора, а транзистор р-п-р-типа служит либо в качестве нагрузки, либо является источником тока. На входе и выходе схемы не используется ни одного резистора. [11]
Режимы, аналогичные рассмотренным, возникают и при использовании транзисторов р-п-р-типа. Однако в этом случае неосновными носителями в области базы являются дырки, и знаки напряжений на р - n - пере ходах, характеризующие тот или иной режим работы транзистора, следует заменить на обратные. [12]
Какие дополнительные изменения нужно сделать в усилительной схеме с транзистором п-р - n - типа, если заменить его на транзистор р-п-р-типа. [13]
Из рис. 3.52, г видно, что база транзистора n - p - n - типа является одновременно коллектором транзистора p - n - p - типа ( генератора тока), а база транзистора р-п-р-типа - эмиттером транзистора п-р-п-типа. Структура базового элемента И2Л - типа представлена на рис. 3.52, д, откуда видно, что на кремниевой пластине весь базовый элемент размещается на площади, обычно занимаемой одним многоэмиттер-ным транзистором стандартного элемента ТТЛ-типа. На рис. 3.52, д стрелками обозначены структуры горизонтального транзистора р-п-р-типа и вертикального транзистора n - p - n - типа. Это в значительной степени определяет технологию изготовления элементов И2Л - типа и создает основные трудности при их реализации. Например, для увеличения быстродействия вентиля нельзя использовать легирование золотом, так как оно уменьшает инверсный коэффициент усиления по току транзисторов. [14]
Полученная схема базового элемента И2Л - типа приведена на рис. 3.52, в. Генератором тока в базовом элементе может служить транзистор р-п-р-типа, показанный на рис. 3.52, г. Ток задается с помощью инжекции неосновных носителей в эмиттерную область транзистора n - p - n - типа. Именно способ задания базового тока в переключаемый транзистор п-р-п-типа с помощью инжекции неосновных носителей в область эмиттерного перехода и явился причиной того, что данная схема стала называться интегральной инжещионной логической схемой. [15]
Страницы: 1 2